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2017-06-08 发布于重庆
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袁国清244-245

第244页所列出的表达式，我们假设，在信息第1和第2多晶硅门，分别能带图的MOS电容干了一个金属门和N –.The导体基板金属半导体工作，这种情况被定义为功能差异的定义是在被假定为正值我们将有类似的表述多晶硅盖表6.2是一个总结氟化钾为原料的各种门功函数差异，无论是p型或n型衬底图6.2所示为半导体的各类闸门，我们可以注意到，盖茨级多晶硅是略高于方程（6.19）和较大的兴奋剂功能的功函数的差异（6.20）预测这种差异又是因为费米能级不等于传导带能量缶不等于价带柔的.能源金属半导体的功函数的差异成为重要的平带电压和阈值参数在下面讨论这个假设可能不正确，净固定电荷密度，通常阳性，可能存在绝缘体正电荷已碎或悬挂整齐的氧化物半导体界面共价键确定。在热的通过扩散和附近的氧化反应硅原子也打破了从硅材料之前，为了作出反应当氧化过程被终止，可能存在过剩的硅氧化整齐的界面，由此产生的（图6.22）