高考化学试题分汇编10.doc

高考化学试题分类汇编10 物质结构 元素周期律 1．全国卷1下列判断错误的是 A沸点： B．熔点： C．酸性： C．碱性： 【解析】B考查不同类型晶体的熔沸点高低，2008年高考全国卷I第8题已经考过，一般认为是：原子晶体＞离子晶体＞分子晶体，所以B正确； C项正确，一般元素非金属性越强，对应最高价氧化物的水化物的酸性越强；D正确，一般元素金属性越强，对应最高价氧化物的水化物的碱性越强。A项错误，2009年高考全国卷I第29题已经考过，NH3分子间存在氢键，故最高，AsH3、PH3分子间不存在氢键，只有范德华力，组成和结构相似的分子相对分子质量越大，其分子间作用力越大，熔沸点越高故应该为：NH3＞AsH3＞PH3； 【答案】A 【命题意图】考查基本概念：如晶体熔沸点高低判断，氢键与范德华力对物质的物性的影响，金属性、非金属性的强弱判断方法具体应用，这些都是平时反复训练的，这道题目实属原题，属于送分题！ 【点评】其实还可以拓展：考同种类型晶体的熔沸点高低判断里面的如同为原子晶体或同为离子晶体等，不应该老局限于分子晶体，这样显得2010年高考题与08和09没有太大区别．全国卷113．下面关于SiO2晶体网状结构的叙述正确的是 A．存在四面体结构单元，O处于中心，Si处于4个顶角 B．最小的环上，有3个Si原子和3个O原子 C．最小的环上，Si和O原子数之比为1：2 D．最小的环上，有6个Si原子和6个O原子 【解析】二氧化硅是原子晶体，结构为空间网状，存在硅氧四面体结构，硅处于中心，氧处于4个顶角所以A项错误；在SiO2晶体中，每6个Si和6个O形成一个12元环（最小环），所以D对，B、C都错误！ 【答案】D 【命题意图】考查学生的空间想象能力，和信息迁移能力，实际上第三册课本第一单元里面有结构图！ 【点评】怎样理解SiO2的结构，可从晶体硅进行转化，晶体硅与金刚石结构相似，只需将C原子换成Si原子即可，课本上有我直接拿来用，再将Si-Si键断开，加入氧即可，见： 但是若将题目中B、B、D三个选项前面分别加上“平均每个”，则本题的答案就又变了，这时就要应用均摊法了，由于每个Si原子被12个环所共用，每个O原子被6个环所共用，每个Si-O键被6个环所共用，则均摊之后在每个环上含有0.5个Si，1个O，2个Si-O键，此时则B、D错误，C正确了，也即在1molSiO2中含有4 mol Si-O键（这是我们经常考的）8. 有X、Y、Z、W、M五种短周期元素，其中X、Y、Z、W同周期， Z、M同主族； X+与M2-具有相同的电子层结构；离子半径：Z2-＞W-；Y的单质晶体熔点高、硬度大，是一种重要的半导体材料。下列说法中，正确的是 X、M两种元素只能形成X2M型化合物 由于W、Z、M元素的氢气化物相对分子质量依次减小，所以其沸点依次降低 元素Y、Z、W的单质晶体属于同种类型的晶体 元素W和M的某些单质可作为水处理中的消毒剂X、Y、Z、W、M短周期元素同周期同主族相同的电子层结构离子半径单质晶体熔点硬度半导体材料Y单质晶体熔点硬度半导体材料X、Y、Z、W同周期Z2- M2-知Z是S，M是O（Z、M同主族X+与M2-具有相同的电子层结构离子半径：Z2-＞W-X\Y\Z\W\M分别是：Na\Si\S\Cl\O。 A、X、M两种元素能形成X2M化合物W、Z、M元素的氢气化物Y、Z、W的单质W和M的单质10．短周期金属元素甲~戊在元素周期表中的相对位置如右表所示，下面判断正确的是 A．原子半径： 丙＜丁＜戊 B．金属性：甲＞丙 C．氢氧化物碱性：丙＞丁＞戊 D．最外层电子数：甲＞乙 解析：同周期元素原子半径是减小的，故A错；同主族元素金属性自上而下是增强的，故B错；同周期的元素的金属性越来越弱，故对应碱的碱性也是减弱的，C正确；同周期的最外层电子数越来越多，故D错。 答案：C、HI酸性递增的事实，推出F、Cl、Br、I的非金属递增的规律 【解析】答案：B 本题侧重考查反应速率、盖斯定律、分散系、元素周期律重要的基本概念，规律 同时改变两个变量来研究反应速率的变化，不容易判断影响反应速率的主导因素，因此更难得出有关规律 这是盖斯定律的表述 分散系的划分是以分散质颗粒大小来区分的 在以酸性强弱作为判断元素非金属性非金属性强弱依据时，是以最高价氧化物对应水化物的酸性强弱为判断依据的。 （2010上海卷）20．几种短周期元素的原子半径及主要化合价如下表：下列叙述正确的是 A．X、Y元素的金属性 XY B．一定条件下，Z单质与W的常见单质直接生成C．Y的最高价氧化物对应的水化物能溶于稀氨水 D．一定条件下，单质可以将单质从其氢化物中置换出来 解析：13．已知A、B、C、D、E是短周期中原子序数依次增大的5