变频1-2技术方案.ppt

电力传动系统运动方程式 T电机转矩T负载转矩－－－加速运行 T电机转矩T负载转矩－－－减速运行 T电机转矩＝T负载转矩－－－恒速运行 电机转矩控制性能是影响电气传动系统性能高低的最重要因素 加减速时间和电机转矩、负载转矩以及系统惯量有关 T电机转矩－T负载转矩 P电机功率＝ T电机转矩×N电机速度×K常数 M T电机转矩 T负载转矩 中间传动机构 终端机械 速度模式： 以保持转速恒定为目的，如常规调速系统（电梯、各类生产线）。控制设 备根据速度要求自动调整电机转矩适应外部的负载变化，恒速时电机转矩 肯定等于负载转矩 转矩模式 以控制电机转矩恒定为目的，如：开卷/收卷，恒速时电机转矩肯定等于 负载转矩，但电机的运转速度不确定。 如果电机转矩始终大于负载转矩，则速度持续上升直至设备限速或损坏 如果电机转矩始终小于负载转矩，则速度为0或最低（下限）速度 为保证系统安全，必须额外考虑限速或超速保护 T电机转矩－T负载转矩 M T电机转矩 T负载转矩 中间传动机构 终端机械 传动机构 电动机 生产机械 负载特性 摩擦恒转矩 生产流水线 起重行走 速度 T负载转矩 势能恒转矩 电梯 起重机提升 恒功率 （速度越低， 负载转矩越大） 机床 开卷机/收卷机 变转矩 （速度越低，负载 转矩越小） 风机水泵 负载转矩大小于与转速无关 二、电力电子开关器件的应用 1、 SCR； 2、 GTO ； 3、 GTR ； 4、 MOSFET； 5、 IGBT、IGCT； 6、IPM 常用的半导体电力开关器件有 不控器件： 半导体电力二极管D 半控器件： 晶闸管（Thyristor）或SCR 全控器件： 双极结型电力三极管BJT（半导体电力三极管） 可关断晶闸管GTO 电力场效应晶体管P-MOSFET 绝缘门极双极型晶体管IGBT MOS控制晶闸管MCT 集成门极换流晶闸管IGCT 静电感应晶体管SIT和静电感应晶闸管SITH 半导体电力开关模块和功率集成电路PIC SCR-Silicon Controlled Rectifier晶闸管 GTO-gate turn-off thyristor,门极可关断晶闸管 GTR—giant transistor，大功率晶体管 MOSFET—mefal oxide semiconductor field effect transistor MOS场效应晶体管 IGBT—insulated gate bipolar transistor，绝缘门极双极晶体管 IEGT—injection Enhanced Gate Transistor ，注入增强删晶体管 IGCT—integrated gate commutated thyristor，集成门极换流的晶闸管，ETO SiC---碳化硅 绝缘栅双极晶体管IGBT GTR和GTO的特点——通流能力很强，导通压降低。双极型，有电导调制效应，开关速度较低，电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂。 MOSFET的优点——单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单。但导通压降高、开关容量低。 两类器件取长补短结合而成的复合器件—IGBT 绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor—IGBT或IGT） GTR和MOSFET复合，结合二者的优点，具有好的特性。 IGBT的结构 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号 a) 内部结构断面示意图 b) 简化等效电路 c) 电气图形符号 绝缘栅双极晶体管（续） 三端器件：栅极G、集电极C和发射极E 安工大---自动化 Anhui University of Technology Anhui University of Technology * 2 电力电子装置与系统 交流电机变频调速应用技术 电能质量分析及其控制应用技术 交流电机变频调速应用技术 安徽工业大学工程研究院 安工大工业技术研究院有限公司 陈乐柱 2016年2月 手机 邮箱：chenlezhu@163.com Q Q： 主要汇报内容 一、交流电机的基本知识 二、电力电子开关器件及其应用 三、交流变频技术应用 一、电机系统的基础知识 第一节 三相异步电动机 第二节 三相异步电动