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第一章 常用半导体器件 1.1 半导体基础知识 1 本征半导体 半导体 概念：导电能力介于导体和绝缘体之间。 本征半导体：纯净的具有晶体结构的半导体。 本征半导体的晶体结构（图1.1.1） 晶格：晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵。 共价键 本征半导体中的两种载流子（图1.1.2） 本征激发：在热激发下产生自由电子和空穴对的现象。 空穴：讲解其导电方式； 自由电子 复合：自由电子与空穴相遇，相互消失。 载流子：运载电荷的粒子。 本征半导体中载流子的浓度 动态平衡：载流子浓度在一定温度下，保持一定。 载流子浓度公式： 自由电子、空穴浓度（cm－3），T为热力学温度，k为波耳兹曼常数（），EGO为热力学零度时破坏共价键所需的能量（eV），又称禁带宽度，K1是与半导体材料载流子有效质量、有效能级密度有关的常量。 1.1.2 杂质半导体 概念：通过扩散工艺，掺入了少量合适的杂质元素的半导体。 N型半导体（图1.1.3） 形成：掺入少量的磷。 多数载流子：自由电子 少数载流子：空穴 施主原子：提供电子的杂质原子。 P型半导体（图1.1.4） 形成：掺入少量的硼。 多数载流子：空穴 少数载流子：自由电子 受主原子：杂质原子中的空穴吸收电子。 浓度：多子浓度近似等于所掺杂原子的浓度，而少子的浓度低，由本征激发形成，对温度敏感，影响半导体的性能。 1.1.3 PN结 PN结的形成（图1.1.5） 扩散运动：多子从浓度高的地方向浓度低的地方运动。 空间电荷区、耗尽层（忽视其中载流子的存在） 漂移运动：少子在电场力的作用下的运动。在一定条件下，其与扩散运动动态平衡。 对称结、不对称结：外部特性相同。 PN结的单向导电性 PN结外加正向电压：导通状态（图1.1.6）正向接法、正向偏置，电阻R的作用。（解释为什么Uho与PN结导通时所表现的外部电压相反：PN结的外部电压为U即平时的0.7V，而内电场的电压并不对PN结的外部电压产生影响。） PN结外加反向电压：截止状态（图1.1.7）反向电压、反向偏置、反向接法。形成漂移电流。 PN结的电流方程 方程（表明PN结所加端电压u与流过它的电流i的关系）： q为电子的电量。 平衡状态下载流子浓度与内电场场强的关系： PN结电流方程分析中的条件： 外加电压时PN结电流与电压的关系： PN结的伏安特性（图1.1.10） 正向特性、反向特性 反向击穿：齐纳击穿（高掺杂、耗尽层薄、形成很强电场、直接破坏共价键）、雪崩击穿（低掺杂、耗尽层较宽、少子加速漂移、碰撞）。 PN结的电容效应 势垒电容：（图1.1.11）耗尽层宽窄变化所等效的电容，Cb（电荷量随外加电压而增多或减少，这种现象与电容器的充放电过程相同）。与结面积、耗尽层宽度、半导体介电常数及外加电压有关。 扩散电容：（图1.1.12） 平衡少子：PN结处于平衡状态时的少子。 非平衡少子：PN结处于正向偏置时，从P区扩散到N区的空穴和从N区扩散到P区的自由电子。 浓度梯度形成扩散电流，外加正向电压增大，浓度梯度增大，正向电流增大。 扩散电容：扩散区内，电荷的积累和释放过程与电容器充放电过程相同。i越大、τ越大、UT越小，Cd就越大。 结电容 pF级，对于低频忽略不计。 1.2 半导体二极管 （几种外形）（图1.2.1） 1.2.1 半导体二极管的几种常见结构（图1.2.2） 点接触型：电流小、结电容小、工作频率高。 面接触型：合金工艺，结电容大、电流大、工作频率低，整流管。 平面型：扩散工艺，结面积可大可小。 符号 1.2.2 二极管的伏安特性 二极管的伏安特性 二极管和PN结伏安特性的区别：存在体电阻及引线电阻，相同端电压下，电流小；存在表面漏电流，反向电流大。 伏安特性：开启电压（使二极管开始导通的临界电压）（图1.2.3） 温度对二极管方案特性的影响 温度升高时，正向特性曲线向左移，反向特性曲线向下移。 室温时，每升高1度，正向压降减小2～2.5mV；每升高10度，反向电流增大一倍。 1.2.3 二极管的主要参数 最大整流电流IF：长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。 最高反向工作电压UR：工作时，所允许外加的最大反向电压，通常为击穿电压的一半。 反向电流IR：未击穿时的反向电流。越小，单向导电性越好；此值对温度敏感。 最高工作频率fM：上限频率，超过此值，结电容不能忽略。 1.2.4 二极管的等效电路 二极管的等效电路：在一定条件下，能够模拟二极管特性的由线性元件所构成的电路。一种建立在器件物理原理的基础上（复杂、适用范围宽），另一种根据器件外特性而构造（简单、用于近似分析）。 由伏安特性折线化得到的等效电路：（图1.2.4） 理想二极管：注意符号 正向导通时端电压为常量 正向导通时端电压与电流成线性关系 例1（图1.2