铁电存储器FM4C16原理及其综合应用.docx

铁电存储器FM24C16原理及其综合应用 HYPERLINK /search/?keyword=Ramtronsearchselect=articleencoding=UTF-8 \t _blank Ramtron HYPERLINK /search/?keyword=%E9%93%81%E7%94%B5%E5%AD%98%E5%82%A8%E5%99%A8searchselect=articleencoding=UTF-8 \t _blank 铁电存储器 HYPERLINK /search/?keyword=FRAMsearchselect=articleencoding=UTF-8 \t _blank FRAM 1、铁电存储器技术原理、特性及应用?????美国Ramtron公司铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性。铁电晶体的工作原理是：当在铁电晶体材料上加入电场，晶体中的中心原子会沿着电场方向运动，达到稳定状态。晶体中的每个自由浮动的中心原子只有2个稳定状态，一个记为逻辑中的0，另一个记为1。中心原子能在常温、没有电场的情况下，停留在此状态达100年以上。铁电存储器不需要定时刷新，能在断电情况下保存数据。由于整个物理过程中没有任何原子碰撞，铁电存储器有高速读写、超低功耗和无限次写入等特性。铁电存储器和E2PROM比较起来，主要有以下优点：?(1)FRAM可以以总线速度写入数据，而且在写入后不需要任何延时等待，而E2PROM在写入后一般要5～10ms的等待数据写入时间；?(2)FRAM有近乎无限次写入寿命。一般E2PROM的寿命在十万到一百万次写人时，而新一代的铁电存储器已经达到一亿个亿次的写入寿命。?(3)E2PROM的慢速和大电流写入使其需要高出FRAM 2 500倍的能量去写入每个字节。?????由于FRAM有以上优点，其特别适合于那些对数据采集、写入时间要求很高的场合，而不会出现数据丢失，其可靠的存储能力也让我们可以放心的把一些重要资料存储于其中，其近乎无限次写入的使用寿命，使得他很适合担当重要系统里的暂存记忆体，用来在于系统之间传输各种数据，供各个子系统频繁读写。从FRAM问世以来，凭借其各种优点，已经被广泛应用于仪器仪表、航空航天、工业控制系统、网络设备、自动取款机等。?????在设计的碳控仪系统中，由于对控制碳势适时性的要求较高，而且系统由2个子系统构成，每个子系统都要频繁读写存储器，所以我们把原来的X25045换成FM24C16以满足要求。?2 FM24C16引脚说明及工作过程?FM24C16-P(8脚双列直插)外形图及引脚定义如图1及表1所示。 ? ????FM24C16是串行非易失存储器，存储容量为2048×8b，共分8页，每页256B；工作电压为+5V；接口方式为工业标准的2线接口：SDA和SCL；功能操作和串行E~PROM相似，有读和写两种操作状态，读、写时序和I2C总线类似。????? FM24C16的写操作可以分为2种：字节写和页面写。字节写就是每次写入单个字节，页面写可以一次写入整页(256B)的数据。而且，由于没有写延时，数据写入速度很快(一般为μs级)，特别是在页面写的时候，不需要数据缓冲，可以一次写入256B的数据，真正实现页面写，这是其他E2PROM做不到的，比如AT24C16，在页面写的时候，每次最多能写入16B数据。?????FM24C16的写操作时序中可分为起始位(START)、数据位、从应答位、停止位(STOP)，其中，从应答位(因为FM24C16为从器件，mcu为主器件，所以称为从应答)是FM24C16在每接收一个字节数据后发出的应答信号，是检验数据写入是否成功的惟一标志。写入过程为：mcu通过SDA，SCI。发出起始位，然后从SDA输出从器件固定地址位：1010，再输出3b页选择位(选择写入数据到FM24C16的哪一页)，再输出写控制位0(读为1，写为0)，然后接收来自FM24C16的从应答位，如果没有收到从应答，则退出操作。在接收到从应答后，mcu从SDA串行输出8位FM24C16字节地址以确定写入数据的字节单元，并在收到从应答后发送1b数据写入到FM24C16，然后等待从应答信号确认数据写入成功。如果是字节写，则由mcu发出停止位，结束写操作。如只是页面写，mcu输出第2个字节数据，FM24C16判断出mcu要继续写入数据后，自动使其内部的地址指针加1，并把数据写入到加1后的字节单元，然后给出从应答，mcu就继续写入数据到FM24C16。页面写操作时，当地址指针到7FH(页尾地址)单元的时候，在下一个写入周期时自动翻转到00H，写入