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浙江昱辉阳光能源有限公司 文件编号： Q03-SIP-01 多晶硅片成品标准 版本号：A/6 页码：第1页 共6页 生效日期：2009年5月8日 一、目的 为加强公司多晶硅片的质量管控，指导使公司生产的产品，特制订本标准。 二、适用范围 适用于公司生产的太阳能级多晶硅片的品质检测和判定。 三、标准内容 检测环境要求：温度18~28℃，湿度不大于60%。 检验项目及要求： 项 目 内 容 外观 线痕、崩边、污片、凹坑、缺角、缺口、隐裂、穿孔、色差、微晶、雪花晶、分布晶、废片 尺寸 边长、对角线、垂直度、倒角、翘曲、厚度 性能 氧含量、碳含量少子寿命、极性、电阻率 批 准 审 核 编 制 修改履历 页 码 内 容 状 态 备 注 浙江昱辉阳光能源有限公司 文件编号： Q03-SIP-01 多晶硅片成品标准 版本号：A/6 页码：第2页 共6页 生效日期：2009年5月8日 3、名词解释 线痕：硅片在切割过程中硅片表面被划伤所留下的痕迹。 　　　　崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出。bow）：晶片中心面凹凸形变的一种度量，它与晶片可能存在任何厚度变化无关。弯曲度是晶片的一种体性质而不是表面特性。 翘曲度（warp）：晶片中心面与基准平面之间的最大和最小距离的差值。翘曲度是晶片的体性质而不是表面特性。 厚度（thickness）：通过晶片上一给定点垂直于表面方向穿过晶片的距离。 总厚度变化（total thickness variation）（TTV）：在厚度扫描或一系列点的厚度测量中，所测晶片的最大厚度与最小厚度的绝对差值。 密集型线痕：垂直线痕方向每厘米存在5条线痕以上。 电阻率（resistivity）：单位体积的材料对与两平行面垂直通过的电流的阻力。符号为ρ，单位为Ω·cm。 少数载流子寿命：晶体中非平衡载流子由产生到复合存在的平均时间间隔，它等于非平衡少数载流子浓度衰减到起始值的1/e（e=2.718）所需的时间。又称少数载流子寿命，体寿命。 4、判定标准（见下表）： 浙江昱辉阳光能源有限公司 文件编号：Q03-SIP-01 多晶硅片成品标准 版本号：A/6 页码：第3页 共6页 生效日期：2009年5月8日 内容 项目 检测标准 A级片 B1级片 B2级片 备注 外观 线痕 线痕 ≤15 μm 15-25 μm 25-35 μm 线痕是双面线痕深度相加的值 密集线痕 面积比例 ＜1/2 ＞1/4 ＞1/4 密集线痕的定义：垂直线痕方向每厘米存在5条线痕以上 最大双面线痕深度（μm） ≤10 10-15 15-20 手感 摸起来无手感摸起来手感 无凹坑 缺角、穿孔 无 无 无 色差 无 有明显色差 微晶、雪花晶 分布晶 无 无 无 隐裂 无 无 无 设备检查隐性裂纹宽度大于0.1mm 浙江昱辉阳光能源有限公司 文件编号：Q03-SIP-01 多晶硅片成品标准 版本号：A/6 页码：第4页 共6页 生效日期：2009年5月8日 内容 项目 检测标准 A级片 B1级片 B2级片 备注 尺寸 边长 125×125±0.5mm 156×156±0.3mm 125×125±0.5mm 156×156±0.5mm 125×125±0.5mm 156×156±0.5mm 对角线±0.5mm 219.2±0.5mm 175.5±0.7mm 219.2±0.7mm 175.5±0.7mm 219.2±0.7mm 垂直度 90°±0.2° 90°±（0.2~0.5°） 90°±（0.2~0.5°） 倒角 1~1.8mm 0.5~2mm 0.5~2mm 弯曲度 翘曲度 弯曲度、翘曲度≤50μm 边缘翘曲≤80μm 50μm≤弯曲度 翘曲度≤75μm 边缘翘曲≤80μm 厚度 180±18 μm 200±20μm TTV≤30μm 180±25 μm 200±25μm TTV≤30μm 180±25 μm 200±25μm TTV≤40μm 其中厚度D取五点法平均，五点同时满足标准，厚度测量5点的位置，中心点和离四角15mm处的点；TTV为同一张硅片上厚度最大值减厚度最小值。其中，超厚，超薄片同一箱中各硅片的厚度D、TTV的变化不超过30μm。以上条件优先级最高为不合格片，依次为C级片、B级片，即满足任意一条不合格