模电第1章答案用半导体器件.docVIP

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  • 2016-10-12 发布于贵州
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模电第1章答案用半导体器件

一、选择题(6小题,共10.0分) (02 分)1.A、B、C、…填空。 在纯净半导体中掺入三价硼元素后,形成____(A.P型????? B.N型 )半导体;其导电率(C.增大, D.减小,? E.不变);这种半导体的多数载流子是____,少数载流子是____ (F.空穴,?? G.自由电子)。 (01 分).选择正确的答案用A、B、C填空。 随着温度升高,晶体管的电流放大系数____,穿透电流____,在IB不变的情况下b-e结电压UBE____。( A.增大,?????? B.减小,?????? C.不变) (02 分).选择正确的答案用A、B、C…填空。 随着温度升高,晶体管的共射正向输入特性曲线将_______________,输出特性曲线将_______________,输出特性曲线的间隔将_______________。 (A.上移,??? B.下移,??? C.左移,??? D.右移,??? E.增大,??? F.减小,??? G.不变) (01 分).用“大”、“小”填空: 场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流_____;绝缘栅型场效应管栅极的静态输入电流比结型场效应管的____。 二、是非题(3小题,共6.0分) (02 分)1. 1.晶体三极管具有两个PN结,因此把两个二极管反向串联起来,也能具有放大能力。(???? ) 2.测

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