半导体器件物理12章量子力学初步.docVIP

半导体器件物理 第一章：半导体材料 就其导电性而然，半导体材料的导电性能介于金属和绝缘体之间。半导体基本可以分为两类：位于元素周期表IV族的元素半导体和化合物半导体。大部分化合物半导体材料是Ⅲ族和V族元素化合而成的。表1.1是元素周期表的一部分，包含了最常见的半导体元素。表1.2给出了较为常用的某些半导体材料。 表1.1部分半导体元素周期表 Ⅲ Ⅳ（元素半导体材料） Ⅴ 硼（B））））））））））表示，实验测量表明，Ⅲ杂质元素在硅、锗晶体中的电离能很小。在硅中约为0.045～0.065eV;在锗中约为0.01eV。表1.3为Ⅲ族元素杂质在硅、锗中电离能的测量值。 表1.3 Ⅲ元素杂质在硅、锗中电离能的测量值(单位：eV) Ⅳ族 元素 Ⅲ族杂质元素 硼 B 铝 Al 镓 Ga 铟 In 硅Si 锗Ge 0.045 0.01 0.057 0.01 0.065 0.011 0.16 0.011 向Ⅳ族元素的硅中掺入Ⅴ族元素磷（P），一个磷原子占据了硅原子的位置，磷原子有5个价电子，其中的4个价电子与周围的4硅原子形成共价键，还剩余一个价电子。同时磷原子所在处也多余一个正电荷，成为带一个正电荷磷离子（P+）中心。（硅原子去掉价电子会变成带4个正电荷的硅离子，磷原子去掉价电子会变成带5个正电荷的磷离子）。所以，磷离子替代硅原子后，其效果是形成了一个正电中心（P+）和一个多余的电子，这个多余的价电子就被束缚在正电中心的附近，但这种束缚作用要比共价键的束缚作用弱很多，很小的能量就可以使它挣脱束缚，成为导电电子在晶格中自由运动。这时的磷原子就成了少了一个价电子的磷离子（P+）,它是一个不能移动的正电荷中心。Ⅴ元素杂质在硅、锗中趋于释放电子而产生带负电的导电电子，所以称它们是施主杂质（也叫N型杂质）。电子挣脱施主杂质束缚的过程称为施主电离，电离的施主杂质带一个正电荷，同时释放一个带负电的电子，同样，未电离的施主杂质呈电中性。使电子挣脱施主杂质束缚成为导电电子所需的能量称为施主杂质的电离能。用表示，实验测量表明，Ⅴ族杂质元素在硅、锗中的电离能很小，在硅中约为0.04～0.05eV，在锗中约为0.01eV，比硅、锗的禁带宽度小很多。表1.4为Ⅴ族元素杂质在硅、锗中电离能的测量值。 表1.4 Ⅴ元素杂质在硅、锗中电离能的测量值(单位：eV) Ⅳ族 元素 Ⅴ族杂质元素 磷P 砷 As 锑Sb 硅Si 锗Ge 0.044 0.0126 0.049 0.0127 0.039 0.0096 第二章：固体量子理论初步 通常情况下，我们会立即讲述半导体器件的工作原理及器件特性。但为了更深入地理解半导体器件的电流－电压特性，有必要了解晶体中电子在不同势函数的条件下的状态和行为。为此，在这一章中我们有两个任务需要完成，确定晶格中电子的特性；确定晶体中大量电子的统计特性。因此，有必要简要介绍量子力学有关基础知识，以便更准确地预测固体中电子的行为特点。 这一章我们主要讨论的内容： 主要讨论跟半导体材料和器件物理相关的量子 力学。 介绍量子力学的某些结果，包括能量的量子化（或能量的非连续性）以及概率（可能性）的概念。 研究半导体的能带理论。 讨论和研究电子的能量函数－量子态密度。 研究Fermi-Dirac分布函数－描述一个电子占据一个量子态的可能性（概率）。 2.1量子力学的基本原理 量子力学中的三个基本原理分别是： 能量的量子化原理 波粒二象性原理 不确定原理 2.1.1能量的量子化 光电效应实验证实了光的经典理论与实验结果存在矛盾。根据光的经典物理学理论，假如一束单色光照射在某种材料的清洁表面，只要照射光的强度足够大，电子就会克服该材料的功函数从表面发射出去，（被光照射后，材料中的电子获得能量而逃逸材料表面的电子称为光电子）而与照射光的频率无关。换句话说，照射光的光强小于某一值，就不会产生光电子。而实验的结果是：在恒定光强的照射下，光电子最大动能与照射光的频率成正比（线性关系），其照射光的频率低于时，将不会产生光电子；如果将照射光的频率固定而改变光强，则光电子的发射效率就会改变，但光电子的最大动能保持不变。实验结果如图2.1所示。 光电实验的结果表明：产生光电子的数量跟照射光的光强有关。照射光的频率固定，光电子最大动能恒定；光强固定，低于某种频率，则不会产生光电子，高于频率，则会产生光电子，且光电子的最大动能与照射光的频率成正比。 1900年，Planck发现了从加热物体表面发出的热辐射能量是不连续的，即所谓的量子。这些量子的能量为,其中为辐射频率，为Planck常数。 1905年，Einstein提出了光也是由粒子组成的假说，具有粒子性的光称为光子，光子的能量也是，从而解释了光电效应。 具