模拟电路课件第三章分解.ppt

DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ IZ(min)≤IZ≤IZM 稳压管正常工作的条件： (2) 限流电阻计算 输出电压稳定的条件： （保证稳压管被击穿） DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ UO=UZ 图中： IZ = I－IO 由上式，可知： 此时，当IO为最小值IO(min)时，IZ值最大。 当UI为最大值UI(max)时，I值最大； DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ 为保证电路正常工作，应使： 由此可得： DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ 同理，为保证电路正常工作，应使： 由此可得： DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ 综上，可得： 思 考 题 1. 在图示稳压电路中，输出电压稳定的条件是什么？ 2. 在图示稳压电路中限流电阻的大小对电路性能有何影响？ DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ 作 业 作业： 题：3.4.6、3.4.9 要求： 3.4.6中， 要求写出简要的分析步骤（标出：二极管阳，阴极的 电位）； 在外电场作用下，空穴吸引价电子按一定方向移动填补空穴，同时，在移动后的价电子位置产生新的空穴， 如此继续下去，可得到定向移动的空穴，从而形成空穴电流 拉走价电子，形成空穴，相当于源源不断的提供空穴 考虑反向更合适 对于正偏pn结，当外加偏压增大时，注入n区的空穴增加，在n区的空穴扩散区内形成空穴积累，为保持电中性条件，扩散区内电子浓度也相应增加。电子注入p区情形类似， 半波整流电路 首先断开二极管，再分析其两端电压大小~ 动画先播放开头，然后停住分析可能将要发生的变化，再播放动画。 通过串联就可获得更多的稳定电压 ; 击穿电流大于最大稳定电流，但这种情况下二极管会过热损坏，击穿电流小于最小稳定电流则稳压管无法击穿，无法达到稳压作用; 稳压管适应的输入电压范围较窄，而且不能调整输出电压。 静态电阻非常大，一般可认为无穷大； 静态电阻非常大，稳定电压UZ为定值； 静态电阻非常大 静态电阻非常大 静态电阻非常大 二极管按结构分三大类： (1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路 二极管按材料分二大类：硅二极管和锗二极管 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路 (3) 平面型二极管 用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 半导体二极管实物 半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 2AP9 用数字代表同类器件的不同规格。 代表器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管。 代表器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge， C为N型Si， D为P型Si。 2代表二极管，3代表三极管。 半导体二极管的伏安特性曲线 硅：0.5 V 锗： 0.1 V (1) 正向特性 导通压降 反向饱和电流 (2) 反向特性 死区 电压 击穿电压UBR 特性曲线分为三部分：正向、反向和反向击穿特性 u E i V mA u E i V uA 锗 硅：0.7 V 锗：0.2V 小结： 正向特性： 外加正向电压时，存在阻碍二极管导通的死区电压；当正向电压超过该电压值时，二极管导通，此时，正向电流在较大范围内变化，而管子的电压降变化较小。 反向特性： 外加反向电压时，产生由少子漂移形成的反向电流，其特点是受温度影响较大，当反向电压不超过某值时，反向电流大小基本不变（亦称反向饱和电流Is)，与反向电压高低无关。 反向击穿特性： 外加反向电压超过UR（反向击穿电压）时，反向电流急剧增大，二极管发生击穿。 PN结击穿可分为：雪崩击穿、齐纳击穿（击穿过程可逆）和热击穿（不可逆） 1.2.3 温度对半导体二极管特性的影响 1. 当温度上升时，死区电压、正向管压降降低。 △uD/ △T = –（2~2.5）mV/ °C 2. 温度升高，反向饱和电流增大。 即 温度每升高1°C，管压降降低（2~2.5）mV。 即 平均温度每升高10°C，反向饱和电流增大一倍。 1.2.4 二极管的主要参数 (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压UBR (3) 反向电流IR 二极管长期连续工作时，允许通过的最大平均电流（防止过热损坏） 二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压UBR （最高允许反向击穿电压一般取实际值的1/2）。 在室温下，在规定的反向电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一 般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。其值越小，管子单向导电性越好。 (4) 最高工作频率fM fM与结电容有关，当