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* UΦ UΦ–U 合成电场 (1)单向导电性 PN结加正向电压 2. PN结的特性 PN外加正向电压时，内建电场被削弱，势垒高度下降， 未加偏压时的耗尽层 空间电荷区宽度变窄，这使得P区和N区能越过这个势垒的多数载流子数量大大增加，形成较大的扩散电流。 加偏压时的耗尽层 * 流过PN结的电流随外加电压U的增加而迅速上升，PN结呈现为小电阻。该状态称： 加正向偏压时的耗尽层 UΦ UΦ–U 合成电场 PN结正向导通状态 未加偏压时的耗尽层 PN结加正向电压 * 加反向偏压时的耗尽层 UΦ UΦ+U 合成电场 (1)单向导电性 PN结加反向电压 2. PN结的特性 PN外加反向电压时，内建电场被增强，势垒高度升高，空间电荷区宽度变宽。这就使得多子扩散运动很难进行，扩散电流趋于零，而少子更容易产生漂移运动 。 未加偏压时的耗尽层 * 加反向偏压时的耗尽层 UΦ UΦ+U 合成电场 流过PN结的电流称为反向饱和电流(即IS)，PN结呈现为大电阻。该状态称： PN结反向截止状态 未加偏压时的耗尽层 PN结加反向电压 小结 PN结加正向电压时，正向扩散电流远大于漂移电流，PN结导通；PN结加反向电压时，仅有很小的反向饱和电流IS，考虑到IS?0，则认为PN结截止。 PN结正向导通、反向截止的特性称PN结的单向导电特性。 击穿——PN结外加反向电压且电压值超过一定限度时，反向电流急剧增加而结两端电压基本不变的现象。 (2)击穿特性 2. PN结的特性 击穿不一定导致损坏。 利用PN结击穿特性可以制作稳压管。 击穿电压Uz 雪崩击穿 击穿分类 (2)击穿特性 2. PN结的特性 齐纳击穿 雪崩击穿(碰撞击穿) 反向电压足够高时，空间电荷区的合成电场较强，通过空间电荷区的电子在强电场的作用下加速获得很大的动能，于是有可能和晶体结构中的外层电子碰撞而使其脱离原子核的束缚。被撞出来的载流子在电场作用下获得能量之后，又可以去碰撞其它的外层电子，这种连锁反应就造成了载流子突然剧增的现象，犹如雪山发生雪崩那样，所以这种击穿称为雪崩击穿或碰撞击穿 。 (2)击穿特性 2. PN结的特性 齐纳击穿(电场击穿) 当反向电压足够高，空间电荷区中的电场强度达到105V／cm以上时，可把共价键中的电子拉出来，产生电子-空穴对，使载流子突然增多，产生击穿现象，称为齐纳击穿。 掺入杂质浓度小的PN结中，雪崩击穿是主要的，击穿电压一般在6V以上；在掺杂很重的PN结中，齐纳击穿是主要的，击穿电压一般在6V以下。击穿电压在6V左右的PN结常兼有两种击穿现象。 (2)击穿特性 2. PN结的特性 第二章 半导体器件基础 内容提要 半导体基础知识 晶体二极管 特殊二极管 晶体三极管 2.1 半导体的基础知识 本征半导体 杂质半导体 载流子的运动方式及形成的电流 PN结及其单向导电性 半导体及其材料 ·导体 : 电阻率ρ小于10-3Ω·cm ·绝缘体: ρ大于108Ω·cm ·半导体: ρ介于导体和绝缘体之间。 常用半导体材料有: 硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓(GaAs)等 2.1.1 半导体 电阻率：数值上等于单位长度、单位截面的某种物质的电阻。 本征半导体 半导体的原子结构: 本征半导体——化学成分纯净的半导体。在物理结构上呈单晶体形态。 硅(Si) 锗(Ge) 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。 半导体的共价键结构 共价键 共价键中的两个价电子 原子核 本征半导体概念 本征激发（热激发） 本征半导体的导电机理 本征激发产生的空穴 价 电 子 价电子受热或受光照（即获得一定能量）后，可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个带正电的空穴。 该现象称为本征激发(热激发) 本征激发产生的自由电子 本征激发（热激发） 本征半导体的导电机理 空穴 价 电 子 自由电子 在热激发下，本征半导体中存在两种能参与导电的载运电荷的粒子(载流子)： 成对的电子和空穴 复 合——自由电子回到共价键结构中的现象。此时电子空穴成对消失。 本征半导体的导电机理 自由电子和空穴成对产生的同时，又不断复合。 在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡， 半导体中载流子便维持一定的数目。 注意： (1) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很差。 (2) 温度越高， 载流子的数目越多,半导体的导电性能也就越好。可见，温度对半导体器件性能影响很大。 T＝300K时电子浓度 硅： 锗： 铜： 光敏性：当受到光照时，半导体的电阻