镀膜技术CVD要点分析.ppt

  1. 1、本文档共26页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
* * * * * * * * * * * * * * 化学气相沉积(CVD——Chemical vapor deposition) 概 念:气态反应物在一定条件下,通过化学反应,将反应形成的固相产物沉积于基片表面, 形成固态薄膜的方法。 基本特征:由反应气体通过化学反应沉积实现薄膜制备! 设备的基本构成: 气体输运 ? 气相反应 ? 去除副产品 (薄膜沉积) Chemical vapor deposition, CVD 主要优势:1)能形成多种金属、非金属和化合物薄膜; 2)组分易于控制,易获得理想化学计量比,薄膜纯度高; 3)成膜速度快、工效高(沉积速率 PVD、单炉处理批量大); 4)沉积温度高、薄膜致密、结晶完整、表面平滑、内部残余应力低; 5)沉积绕射性好,可在复杂不规则表面(深孔、大台阶)沉积; 主要缺点:1)沉积温度高,热影响显著,有时甚至具有破坏性; 2)存在基片-气氛、设备-气氛间反应,影响基片及设备性能及寿命; 3)设备复杂,工艺控制难度较大。 化学反应的主控参数: 主要应用场合: Chemical vapor deposition, CVD CVD的主要化学反应类型 一、热解反应:薄膜由气体反应物的热分解产物沉积而成。 1)反应气体:氢化物、羰基化合物、有机金属化合物等。 2)典型反应: ■ 硅烷沉积多晶Si和非晶Si薄膜: SiH4 (g) ? Si (s) + 2H2 (g) 650~1100 ℃ ■ 羰基金属化合物低温沉积稀有金属薄膜: Ni(CO)4 (g) ? Ni (s) + 4CO (g) 140~240℃ Pt(CO)2Cl2 (g) ? Pt (s) + 2CO (g) + Cl2 (g) 600℃ ■ 有机金属化合物沉积高熔点陶瓷薄膜: 2Al(OC3H7)3 (g) ?Al2O3(s)+6C3H6(g)+3H2O(g) 420℃ 异丙醇铝 Tm≈2050℃ 丙烯 ■ 单氨络合物制备氮化物薄膜: AlCl3·NH3 (g) ? AlN (s) + 3HCl (g) 800-1000℃ Chemical vapor deposition, CVD CVD的主要化学反应类型 二、还原反应:薄膜由气体反应物的还原反应产物沉积而成。 1)反应气体:热稳定性较好的卤化物、羟基化合物、卤氧化物等 + 还原性气体。 2)典型反应: ■ H2还原SiCl4外延制备单晶Si薄膜: SiCl4 (g) + 2H2 (g) ? Si (s) + 4HCl (g) 1200℃ ■ 六氟化物低温制备难熔金属W、Mo薄膜: WF6 (g) + 3H2 (g) ? W (s) + 6HF (g) 300℃ Tm≈3380℃ Chemical vapor deposition, CVD CVD的主要化学反应类型 三、氧化反应:薄膜由气体氧化反应产物沉积而成。 1)反应气体:氧化性气氛(如:O2)+ 其它化合物气体。 2)典型反应: ■ 制备SiO2薄膜的两种方法: SiH4 (g) + O2 (g) ? SiO2 (s) + 2H2 (g) 450℃ SiCl4 (g) + 2H2 (g) + O2 (g) ? SiO2 (s) + 4HCl

文档评论(0)

ccx55855 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档