镀膜技术CVD要点分析.ppt

* * * * * * * * * * * * * * 化学气相沉积(CVD——Chemical vapor deposition) 概 念：气态反应物在一定条件下，通过化学反应，将反应形成的固相产物沉积于基片表面， 形成固态薄膜的方法。 基本特征：由反应气体通过化学反应沉积实现薄膜制备！ 设备的基本构成： 气体输运 ? 气相反应 ? 去除副产品 （薄膜沉积） Chemical vapor deposition, CVD 主要优势：1）能形成多种金属、非金属和化合物薄膜； 2）组分易于控制，易获得理想化学计量比，薄膜纯度高； 3）成膜速度快、工效高（沉积速率 PVD、单炉处理批量大）； 4）沉积温度高、薄膜致密、结晶完整、表面平滑、内部残余应力低； 5）沉积绕射性好，可在复杂不规则表面（深孔、大台阶）沉积； 主要缺点：1）沉积温度高，热影响显著，有时甚至具有破坏性； 2）存在基片-气氛、设备-气氛间反应，影响基片及设备性能及寿命； 3）设备复杂，工艺控制难度较大。 化学反应的主控参数： 主要应用场合： Chemical vapor deposition, CVD CVD的主要化学反应类型 一、热解反应：薄膜由气体反应物的热分解产物沉积而成。 1）反应气体：氢化物、羰基化合物、有机金属化合物等。 2）典型反应： ■ 硅烷沉积多晶Si和非晶Si薄膜： SiH4 (g) ? Si (s) + 2H2 (g) 650~1100 ℃ ■ 羰基金属化合物低温沉积稀有金属薄膜： Ni(CO)4 (g) ? Ni (s) + 4CO (g) 140~240℃ Pt(CO)2Cl2 (g) ? Pt (s) + 2CO (g) + Cl2 (g) 600℃ ■ 有机金属化合物沉积高熔点陶瓷薄膜： 2Al(OC3H7)3 (g) ?Al2O3(s)+6C3H6(g)+3H2O(g) 420℃ 异丙醇铝 Tm≈2050℃ 丙烯 ■ 单氨络合物制备氮化物薄膜： AlCl3·NH3 (g) ? AlN (s) + 3HCl (g) 800-1000℃ Chemical vapor deposition, CVD CVD的主要化学反应类型 二、还原反应：薄膜由气体反应物的还原反应产物沉积而成。 1）反应气体：热稳定性较好的卤化物、羟基化合物、卤氧化物等 + 还原性气体。 2）典型反应： ■ H2还原SiCl4外延制备单晶Si薄膜： SiCl4 (g) + 2H2 (g) ? Si (s) + 4HCl (g) 1200℃ ■ 六氟化物低温制备难熔金属W、Mo薄膜： WF6 (g) + 3H2 (g) ? W (s) + 6HF (g) 300℃ Tm≈3380℃ Chemical vapor deposition, CVD CVD的主要化学反应类型 三、氧化反应：薄膜由气体氧化反应产物沉积而成。 1）反应气体：氧化性气氛（如：O2）+ 其它化合物气体。 2）典型反应： ■ 制备SiO2薄膜的两种方法： SiH4 (g) + O2 (g) ? SiO2 (s) + 2H2 (g) 450℃ SiCl4 (g) + 2H2 (g) + O2 (g) ? SiO2 (s) + 4HCl