扫瞄探针显微术在奈米级表面电性上的量测与应用.doc

奈米電性之掃描探針量測技術 文／曾賢德、果尚志 摘要 本文介紹如何利用掃描力顯微鏡中之 EFM、KFM、CFM、SCM、PFM 及 SNDM量測表面電性，包括表面電位、空間靜電荷、薄膜電容與壓電特性等，這些物理性質的奈米級量測與分析將對微觀尺度下物質特性的瞭解有相當大的助益。  一、前言 近年來由於半導體製程技術不斷進步，使得元件尺寸已縮小到次微米級甚至奈米等級，與此同時，奈米尺度的量測工具也日趨重要且多樣化。其中，掃描探針顯微術 (Scanning Probe Microscopy ，SPM) 的量測範圍可從原子等級到數百微米，可測量的物理量包羅萬象，並且擁有操控與改變表面狀態的能力，因此成為諸多工具中，發展最為迅速且應用廣泛的方法之一。SPM 的種類繁多，一般常見的是掃描穿隧顯微術 (Scanning Tunneling Microscopy，STM) 與掃描力顯微術 (Scanning Force Microscopy，SFM) 兩大類。此外還有延伸型工具，例如掃描式近場光學顯微鏡 (Scanning Near-field Optical Microscope，SNOM) 與掃描電容顯微鏡 (Scanning Capacitance Microscope，SCM) 等等也甚為常見。 SPM中最早發明的STM[1] 是藉由導電探針與樣品間的穿隧電流來偵測表面特性，其優點是具有 極佳的空間解析度，能夠清楚量測到表面單一原子以及其電子能態，因此對表面科學研究相當重要。由於STM 對樣品與操作環境的要求較為嚴苛，僅能測量具有相當導電性的表面，且一般得在超高真空下操作以保持樣品表面的潔淨，因此在應用上較受限制。相對的，SFM 是利用探針與表面間的作用力來量測表面特性，因此樣品可不導電，對操作環境的要求也較少，可在一般大氣環境下甚至在液體中操作。此外，藉由使用適當的探針或方法，即可量測出各種不同的作用力形式，並獲得表面諸多特性。這些優點使得 SFM 在發展上比 STM 更為容易且應用範圍甚廣，但另一方面，由於 SFM 的作用力範圍常遠大於原子尺度，因此在空間解析度上比 STM 差。 SFM 是許多掃描力顯微鏡的統稱，其中最常見也最早出現的是原子力顯微鏡[2] (Atomic Force Microscope，AFM)，其量測的作用力是探針與表面間的凡得瓦爾力。在實際操作時，通常是保持此一作用力的大小，使探針與表面的間距固定，如此在掃描時探針的高度即隨著表面的高低起伏而變化，換言之，藉由量測探針的高度變化，即可得到表面的形貌 (topography)。其他常見的掃描力顯微鏡，像是磁力顯微鏡 (Magnetic Force Microscope，MFM)、摩擦力顯微鏡 (Friction Force Microscope，FFM)、靜電力顯微鏡 (Electrostatic Force Microscope，EFM)、壓電反應力顯微鏡 (Piezoelectric Force Microscope，PFM)等等，雖然所量測的作用力都不相同，但都架構在AFM的基礎上，因此很容易整合在一起，成為分析奈米物性的利器。 二、SFM系統簡介 SFM是藉由量測一微小的探針尖端與樣品表面間的交互作用力來量測表面特性，因此探針扮演著關鍵性的角色。一般 SFM 探針的結構如圖一所示，其探針尖端與懸臂的特性都必須依所欲量測的作用力審慎選擇。例如，以 MFM 量測表面磁性時，所使用的探針尖端必須帶有磁性。同樣，量測表面電性所用的探針必須具備良好的導電性。此外，依所量測的作用力大小與系統操作方式，也需要選擇適當的探針懸臂力常數 (force constant，() 與共振頻率 (resonance frequency，ω0) 才能得到好的數據。  圖一：SFM探針的主要結構可分為懸臂(cantilever)與尖端(tip)兩部分。當探針尖端與表面產生作用力時，懸臂會生些微的彎曲，使打在懸臂背面的雷射光束反射到光偵測器上的位置改變。一般所使用的位置靈敏偵測器(Position Sensitive Photo Detector，PSPD)具有四個象限，可量測雷射光點的橫向與高低位置變化，並分別對應針尖在側向與z方向的受力。  當SFM 探針在樣品表面掃描時，一般又有兩種常用的操作模式：接觸式與非接觸式。接觸模式下探針直接接觸到樣品表面並使懸臂些微彎曲，此 一彎曲量 s 可藉由 PSPD 偵測得，並可換算成表 面與探針間的作用力 F = (s，通常此一作用力的數量級為 10-9 牛頓 (nN)。藉由回饋控制器 (feedback controller) 控制掃描器 (scanner) 的 z 軸變化量 h，使探針在樣品上掃描的同時一邊保