第八章光刻解析.ppt

第八章 光刻 8.1 简介 定义：光刻工艺是一种用来去掉晶圆表面层上所 规定的特定区域的基本操作。 本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。这些结构以图形形式制作在掩膜版上，紫外光透过掩膜版把图形转移到硅片表面的光敏薄膜上然后用一种刻蚀的工艺把薄膜图形成像在下面的硅片上。 正性光刻 负性光刻 电子束光刻机 电子束曝光是指具有一定能量的电子进入到 光刻胶中与胶分子相互作用，并产生光化学 反应。 所需图形从计算机生成，因此没有掩 膜版。束流通过偏转子系统对准表面特定位 置，然后在将要曝光的光刻胶上开启电子 束，并在电子束下移动，从而得到整个表面 的曝光。这种对准和曝光技术叫做直写。 电子束曝光的原理是利用具有一定能量的电子与光刻胶的碰撞作用，发生化学反应完成曝光。 具有一定能量的电子束进入光刻胶，与光刻胶发生碰撞时，主要有三种情况：①电子束穿过光刻胶层，既不发生方向的变化也没有能量的损失； ②电子束与光刻胶分子发生弹性散射，方向发生改变，但不损失能量； ③电子束与光刻胶分子发生非弹性散射，方向改变，且有能量损失。 电子进入光刻胶之后发生的弹性散射，是由于电子受到核屏蔽电场作用而引起的方向偏转，绝大多数情况下偏转角小于90。在非弹性散射的情况下，散射角θ与入射电子的能量损失有关。 电子在光刻胶中发生散射，可以将散射分为