第三章硅片制造过程中沾污控制.ppt

器件制造工艺 * 第三章 硅片制造中沾污控制 3.1引言 一个硅片表面具有多个微芯片，每个芯片又差不多有数 以百万计的器件和互连线路，它们对沾污都非常敏感。随着 芯片特征尺寸为适应更高性能和更高集成度的要求而缩小， 控制表面沾污变得越来越关键。为实现控制沾污，所有的硅 片制备都要在沾污严格控制的净化间内完成。 3.2净化间基本情况 净化间最早被用于手术室内避免细菌沾污 1950年被应用于半导体工业 20世纪60年代高效颗粒空气过滤器的引入是向着硅片制造中大量减少颗粒的第一步 现代半导体制造是在被称为净化间的成熟设施中进行。这种硅片制造设备与外部环境隔离，免受诸如颗粒、金属、有机分子和静电释放的沾污。 沾污越少，投入越高 3.3沾污的类型 沾污：是指半导体制造中引入半导体硅片的任何危害芯片成品率及电学性能的不希望有的物质。 净化间沾污分五类： 颗粒 金属杂质 有机物沾污 自然氧化层 静电释放（ESD) 颗粒：能粘附在硅片表面的小物体 颗粒能引起电路开路或短路。它们能在相邻导体间引起短路。半导体制造中，可以接受的颗粒尺寸的粗略法则是它必须小于最小器件特征尺寸的一半。大于这个尺寸的颗粒会引起致命的缺陷。 颗粒的检测：早期，操作员通过显微镜直观地检查硅片表面颗粒。但这种方法在VLSI和ULSI时代不可接受。自从20世纪80年代中期以来，颗粒检测已经广泛采用激光束扫描