电子薄膜用高纯铝溅射靶材 .docVIP

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  • 2016-10-16 发布于重庆
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电子薄膜用高纯铝溅射靶材

电子薄膜用高纯铝溅射靶材 标准编制说明 一、前言 20世纪90年代以来,微电子行业新器件、新材料迅速发展,电子薄膜、磁性薄膜、光电薄膜等已经广泛应用于高新技术和工业领域。高科技产业的高速发展,促使靶材的生产逐渐发展成为一个专业化产业。我国为更好的,标准标准制定的必要性促使靶材的生产逐渐发展成为一个专业化产业。随着溅射设备的更新及溅射工艺的改进,对所需靶材的质量提出了越来越高的要求,在需求数量方面也在不断增加。近年来,我国电子信息产业的发展飞速,我国已逐渐成为世界上薄膜靶材的最大需求地区之一。但是大量靶材需要从国外进口。现行国家标准、行业标准的执行情况 靶材作为溅射沉积薄膜的原材料有很强的应用目的和应用背景。 四、主要技术指标、试验方法和检验规则的目的和依据 1在实际应用中, 根据用户所使用的溅射机台型号的不同,AL靶材有不同的尺寸要求。半导体用铝靶材需要高精度的外观尺寸 ①晶粒:靶材的晶粒度大小影响靶材的溅射性能。靶材溅射时,靶材中的原子最容易沿着密排面方向择优溅射出来,材料的结晶方向对溅射速率和溅射沉积薄膜层的厚度以及均匀性影响较大。组织结构特点,采用不同的成型方法,热处理工艺等进行控制 对于钎焊的AL靶材在溅射前与无氧铜(或其它材料)到一起,使溅射过程中靶材与底盘的导热导电状况良好。焊接后必须经过超声波检验,保证两者的结合区域,满足大功率溅射的要求而不至于脱落。无造

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