第三章习题电子和空穴的平衡统计分布.docVIP

第三章习题 平衡半导体的物理基础 当E-EF 分别为kT、4kT、7kT，用费米分布和玻尔兹曼分布分别计算分布概率，并对结果进行讨论。 设半导体导带具有以下E－k关系， E 0 试求出其有效质量m*和状态密度g E （单位晶体体积） 设二维能带具有以下抛物线性E－k关系， E 0 求单位面积晶体的态密度g E 。 Si和GaAs态密度有效质量分别为mn 1.065m0, mp 0.647m0；mn 0.067m0, mp 0.47m0, 求在300K下两者的NC和NV。若Si和GaAs的EG分别为1.17eV和1.52eV，求两者的本证载流子浓度。 已知Si中只含施主杂质ND 1015cm-3，现在40K测得电子浓度为1012cm-3，试估算该施主杂质的电离能。 证明： 其中， 对补偿的N型半导体，推导公式： 试由金的能级位置及有关数据计算掺有1 1015cm-3施主和2 1015cm-3 的金的n型硅的电阻率（设g 1）。 每立方厘米的硅样品中掺有1014个硼原子，硼原子在Si中的掺杂能级为EA，电离能为0.045eV，求： （a）在温度T＝300K时，硅样品中的载流子（电子与空穴）浓度是多少？ （b）在温度T 470K时，硅样品中的载流子（电子与空穴）浓度是多少？ 在上题所给出的条件下，计算，并在能带图中仔细画出Ei和EF的位置。（在300K时，EG Si ＝1.17eV