一维纳米氧化锌制备方法及生长机理浅析研究.docVIP

一维纳米氧化锌制备方法及生长机理浅析 党威武 （陕西国防工业职业技术学院 机械工程学院，陕西 西安 710300） 摘要：氧化锌（ZnO）是一种优良半导体材料，一维纳米结构ZnO因其极大地应用前景，更是引起了研究者的高度关注与深入研究。本文归纳、分析一维纳米ZnO的气相、液相、固相三类制备方法及其生长机理，深刻剖析气相制备方法的三种生长机制及其研究概况，为实现一维纳米ZnO的可控制备提供研究基础，对一维纳米ZnO制备方法的研究进展具有一定的理论指导意义。 关键词：ZnO；一维；纳米；生长机制 中图分类号：TQ132.4 文献标识码：A Analysis for Preparation Method and Growth Mechanism of One Dimensional Nanostructures ZnO Dang weiwu (College of Mechanics, Shaanxi Institute of Technology, Xi′an, Shaanxi, China 710300) Abstract: Zinc oxide (ZnO) is an excellent semiconductor material, and one dimensional nanostructure ZnO has caused the researchers high attention and deep research because of its great application prospect. This paper summarizes and analyzes three kinds of preparation methods and their growth mechanism for one dimensional nanostructure ZnO, such as gas phase, liquid phase, solid phase. The three kind of growth mechanism and the research situation are also analyzed deeply for the gas phase preparation method. These provide the fundamental research to achieve controlled preparation of one dimensional nanostructure ZnO, and have certain theory directive significance to research progress of preparing one dimensional nanostructure ZnO. Key words: ZnO; one dimensional; nanometer; growth mechanism 引言 氧化锌（ZnO）是n型直接带隙半导体材料，因其形貌丰富、成本低廉及环境友好等特点，备受研究者的青睐。其禁带宽度常温下为3.37 eV，而氮化镓（GaN）为3.39 eV，两者类似。然而，两者的激子结合能相差较大，ZnO是60 meV，GaN是25 meV。另外，ZnO的化学性质稳定，是目前最有可能取代GaN的新型光电材料，已广泛应用于太阳电池[1-4]、发光二极管[5-7]、气体传感器[8-9]及光催化（如光降解、杀菌等）[10]等领域。 2006年，世界上第一台纳米发电机问世[11]，它是基于ZnO纳米线的重大研究成果，至此，一维纳米结构ZnO，如纳米线[12-13]、纳米棒[14]、纳米带[15]等，引起了科研工作者极大地兴趣，近些年来，一维纳米ZnO的研究取得了较大的进展，是纳米材料研究领域非常重要的一员。 本文总结了一维纳米ZnO的气相、液相、固相三类制备方法，指出每类方法的优势与局限性，并深刻剖析了气相制备方法的三种生长机制及其研究概况，简要分析液相法、固相法的生长机理。为进一步推进一维纳米ZnO制备方法研究与开发提供理论基础。 制备方法与生长机制 随着一维纳米ZnO制备方法与应用研究的不断深入，为了更加严格的控制其结构、形貌、尺寸等，进一步拓宽和延伸一维纳米ZnO的应用，近些年来，科研工作者进行了大量的一维纳米ZnO可控制备方法研究。一般来说，一维纳米结构ZnO的制备方法有气相法、液相法和固相法。 2.1 气相法 气相法是指锌源反应物在一定条件（温度、压强等）下，蒸发成气态，在载气的运输下，到达较低温度的基底附近，发生化学或物理反应，最后成核生长纳米材料的方法。反应过程中锌源蒸发成