III_V族化物半导体整体多结级连太阳电池_光伏技术的新突破_续_.docVIP

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  • 2016-10-17 发布于贵州
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III_V族化物半导体整体多结级连太阳电池_光伏技术的新突破_续_.doc

III_V族化物半导体整体多结级连太阳电池_光伏技术的新突破_续_

III_V族化合物半导体整体多结级连太阳电池_光伏技术的新突破_续_.txt一个人 一盒烟 一台电脑过一天一个人 一瓶酒 一盘蚕豆过一宿。永远扛不住女人的小脾气,女人 永远抵不住男人的花言巧语。 本文由飞过无痕zr贡献 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT,或下载源文件到本机查看。 评 论 III- V族化合物半导体整体多结级连太阳电池 —光伏技术的新突破(续) —— 陈文浚 GaInP2/GaInAs/Ge 三 结 电 池 的 效 率 水 平 从 未 超 过 晶 格 完 全 匹 配 , 即 In 组 分 约 为 1% 时 的 最 高 实 践 记 录 [36]。事 实 上 , 当 In 组 分 为 12% , 即 理 论 上 效 率 应 为 最 高 时 , 迄 今 为 止 实 际 所 达 到 的 三 结 电 池 效 率 要 更 低 得 多 [32]。 上 述 晶 格 失 配 的 GaInP2/GaInAs/Ge 三 结 电 池 的 性 能 难 以 提 高 , 是 因 为 对 电 池 转 换 效 率 贡 献 最 大 的 GaInP2/GaInAs 两 级 顶电池的晶体质量仍难免或多或少地受到失配缺陷的影响。 最 近 有 人 提 出 了 一 个 很 有 希 望 的 新 方 案 , 即 以 GaAs

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