表面电浆子理论与模拟 文吴民耀刘威志 摘要 表面电浆子的研究已有.docVIP

表面電漿子理論與模擬 文/吳民耀、劉威志 摘要 表面電漿子的研究已有百年歷史，近來由於表面電漿子的特性可利用成為進入奈米光學領域的重要途徑，而受到研究人員矚目。本文介紹表面電漿子的基本原理及模擬計算的成果，詳述金屬面及金屬奈米粒子的表面電漿子模式，以及表面電漿子在奈米光學的應用。 表面電漿子（surface plasmon）是存於金屬與介電質介面上的表面電磁波[1,2]。在二十世紀初，就已經在金屬光柵的反射光譜中觀察到表面電漿子相關的光學現象。表面電漿子共振的高靈敏度，也被廣泛利用於化學、生物感測上[3]。表面電漿子模式會侷限在金屬表面附近，形成高度增強的近場（highly enhanced near-field）。這表面增強的特性已經被利用於各類表面光譜的測量上，例如表面增強拉曼光譜學（Surface-enhanced spectroscopy, SERS）[4]。長久以來，光學元件受限於光的繞涉極限（optical diffraction limit），在光學元件的製成上一直未能達到極小、極高密度、極高效率的目的。最近，人們對奈米尺度下的光學現象產生了極大的興趣，引發了對奈米光學（nano-optics）與奈米光子學（nanophotonics）的熱烈研究[5,6,7]。表面電漿子模式的局域特性正好可以利用來突破光的繞涉極限，希望能藉此發展出各式各樣奈米尺度的光學裝置，各類研究於今方興未艾[2,8,9,10]。本文介紹表面電漿子的基本原理，推導表面電漿子的共振條件及闡述電腦模擬計算的成果，特別著重在金屬面及金屬奈米粒子的表面電漿子模式的特性，以及表面電漿子在奈米光學的各種應用。在金屬與介電物質（或是真空）之間形成的介面附近，金屬的電荷密度發生集體式電偶極振盪的現象（如圖一所示），我們稱為表面電漿振盪（surface plasma oscillation），若將此振盪行為量子化，我們稱圖一：電荷密度在金屬表面上發生集體式電偶極振盪電場分量的示意圖。z 0是金屬的部分，z 0是介電材料或是真空的部分。， 分別代表介電物質和金屬的介電係數。電場離開介面會呈指數函數衰減的情況。電場在金屬內部衰減率要比在介電物質來得大。 為表面電漿量子波（surface plasmon polariton）。金屬平面上的表面電漿子以表面波(surface wave)的形式在金屬與介電物質形成的介面上傳播。我們在此詳細推導金屬與介電物質平坦介面上的表面電漿子的模式。先考慮一表面波分別以TM和TE兩種不同的偏振方式在介面上傳播。TE偏振是指電場方向垂直於圖一的xz平面，而TM偏振是指磁場方向垂直於圖一的xz平面。介面的位置是在z = 0時，則TM和TE這兩種表面波的電場和磁場的波函數分別可以表 （1） 首先，我們先討論TE mode 的表面波的性質。為了滿足邊界條件（boundary condition），電場與磁場在介面上必須滿足 （2） 和分別對應於介電物質和金屬的磁導率（permeability）。 利用Maxwell 方程式中的，我們可以得到 對於非磁性材料，我們知道。利用（2）的結果，我們得到的結果為 （3） 但是根據色散關係（dispersion relation）， （4） 從（4）可以看出，當的時候，結果（3）是矛盾的。 由此在數學上我們可以證明金屬性表面電漿量子波不以TE mode的偏振方式存在。從另一方面來看，我們可以從邊界條件來瞭解為何不存在TE mode 的表面電漿子振動模式。根據邊界條件，TE mode的電場在介面上必須保持連續，換言之TE mode振動方式在介面上是不會產生感應電荷，缺少了感應電荷也就不可能激發表面電漿子效應。然而，以上這些討論，在人造的負折射物質出現後，就不再成立了[11,12]。負折射物質可以有負的磁導率，可以容許TE mode的表面電漿子振動模式存在。 接下來，我們要討論TM mode 表面波的性質。為了要求滿足邊界條件，電場與磁場在介面上必須滿足 和分別對應於介電物質和金屬的介電係數（relative permittivity or dielectric constant）考慮表面波對稱的因素，所以要求，因此我們得到介電物質和金屬的介電係數之間的關係須為 （6）也解釋了為什麼我們需要利用金屬（金屬具有負的介電係數）來激發表面電漿量子波。我們可以利用（6）的結果來得到平板表面電漿子頻率（surface plasmon frequency）。利用 Drude’s model可以得到金屬在高頻極限下的介電係數為： 是塊材電漿共