半导体物理学new.doc

前 言 半导体理论和器件发展史 Bloch 理论 Wilson 固体能带理论 （里程碑） Bardeen, Brattain and Shokley 发明晶体管（锗二极管，点接触型），启动了现代电子技术的革命。 第一台晶体管计算机诞生； 半导体有效质量理论。浅能级、激子、磁能级等理论方法，回旋共振、磁光吸收、自由载流子吸收、激子吸收等实验研究。 集成电路问世；平面工艺和光刻技术引入 Firchrd 公司 诺宜斯（格罗夫）等发明了第一块集成电路，创立Intel 公司。 赝势概念提出，得到大部分半导体较精确的能带结构。 半导体激光器发明。 1965 “摩尔定律”，集成电路集成度和性能：翻一番/18月。 1968 MOS器件发明（低功耗技术）：超高密度、高速存储技术。 光刻技术：紫外、软X射线、电子束、同步辐射光，线条0.08微米，存储密度达20G/cm2。 超晶格概念提出：Esaki（江琦），Tsu（朱兆祥） 半导体表面（超高真空） 第一个超晶格AlGaAs/GaAs制备 人工设计材料 新器件 1980 量子Hall效应 Von Klitzing 标准电阻 1982 分数量子Hall效应 崔琦 前沿 1. 低维系统， 纳米材料，量子点，量子线，介观系统 新器件：量子线激光器（199