铝掺杂氧化锌薄膜应用於pH值感测器之研究.docVIP

鋁掺雜氧化鋅薄膜應用於pH值感測器之研究白世南 白哲源建國科技大學電子工程系暨研究所 彰化市介壽北路一號 本研究鋁掺雜氧化鋅(AZO)薄膜應用於具有延伸式閘極結構pH值感測器之感測膜，此一pH值感測器主要由pH值感測膜與商用金氧半電晶體(MOSFET)所構成。鋁掺雜氧化鋅薄膜藉由溶膠-凝膠旋轉塗佈法製備而成，製程中將凝膠溶液覆蓋於銦錫氧化物基板以形成薄膜。AZO pH值感測器之電流-電壓特性曲線是以Keithley 236半導體參數分析儀於不同pH值測試溶液中量測得到。由量測之顯示，AZO延伸式閘極場效電晶體感測器於pH值1~13的範圍內具有線性之反應。此外本研究亦利用場發射電子顯微鏡(FE-SEM)、多功能原子力顯微鏡(AFM)、X-光繞射儀(XRD)、紫外光-可見光-近紅外光光譜儀對AZO之結構進行分析與探討。 關鍵字：鋁掺雜氧化鋅，延伸式閘極場效電晶體，溶膠-凝膠旋轉塗佈法，pH值感測器 1970年P. Bergveld提出可量測溶液中離子濃度的離子感測場效電晶體(Ion sensitive field effect transistor, ISFET) [1] 後，短短數十年間，已風靡全世界，各種形式的化學感測器相繼發展。而在此之後於1983年由 J. Van Der Spiegel 等人研究提出延伸式閘極(Extended-Gate Field-Effect T