反激式开关电源电路分析.docx

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反激式开关电源电路分析

1、保险丝(FS1):电流过大直接断开。 2、热敏电阻(RT1):温度越高电阻越小。为了防止上电瞬间电容充电插头处冒火花:由于初次上电温度低电阻大,实现了对开机浪涌电流的抑制。 3、安规电容(CX1):(1)滤波作用;(2)当电容被击穿则电容内部断开,而一般电容则是短路。 4、扼流圈(TF1):抑制高频干扰 5、安全电阻(ZNR1):防雷电作用;当输入很高电压时电阻变小,相当于在此处短路,从而保护了后面电路。 6、整流器:进行全波整流,输出220*1.4=308V约300V。KBP206是600V/2A的 HYPERLINK /s?wd=%E6%95%B4%E6%B5%81%E6%A1%A5hl_tag=textlinktn=SE_hldp01350_v6v6zkg6 \t /_blank 整流桥,其内部包含四只 HYPERLINK /s?wd=%E4%BA%8C%E6%9E%81%E7%AE%A1hl_tag=textlinktn=SE_hldp01350_v6v6zkg6 \t /_blank 二极管,中间两只 HYPERLINK /s?wd=%E5%BC%95%E8%84%9Ahl_tag=textlinktn=SE_hldp01350_v6v6zkg6 \t /_blank 引脚为交流输入,两边的 HYPERLINK /s?wd=%E5%BC%95%E8%84%9Ahl_tag=textlinktn=SE_hldp01350_v6v6zkg6 \t /_blank 引脚较长一些的为直流输出的正极,另一个为直流的负极。注意观察 HYPERLINK /s?wd=%E6%A1%A5%E5%A0%86hl_tag=textlinktn=SE_hldp01350_v6v6zkg6 \t /_blank 桥堆 HYPERLINK /s?wd=%E5%BC%95%E8%84%9Ahl_tag=textlinktn=SE_hldp01350_v6v6zkg6 \t /_blank 引脚旁边应该印有符号。 7、EC1电容:滤波使电压输出稳定 8、R1与R2:启动电阻;首次上电的时候给SD4870提供微弱电流进行启动。当芯片首次启动后R1,R2可以不需要,直接用变压器的1,2提供。 9、快速恢复二极管(D5):反向耐压1000V,由于变压器3点信号幅度是整流后电压的2倍多一点,因此D5用于漏感的释放。 10、R3与C5:吸收漏感 11、D6:变压器1-2提供正向电压给芯片工作 12、变压器:电源输入端为初级,其他均为次级。 13、肖特基二极管(DD1):具有反向恢复时间极短(可以小到几纳秒);即二极管的导通与断开时间很快。 14、R15与C8:吸收电路辐射 15、R9:假负载,可以不要。 16、EC4、L1、EC5:组成π型滤波,使输出纹波减小 17、EC3:储能滤波 18、TL431:主要用于做基准源,反馈电压的设定:(R13/(R14+VR1)+1)*2.5=Vo 当R13=7.5K的时候,输出最大值(7.5/1.5+1)*2.5=15V 输出最小值(7.5/(1.5+1)+1)*2.5=10V 19、C6与R12:电路补偿,防止电压立即改变。如:当电压为12.5V时不是让光耦立即输出进入7脚反馈,通过补偿电路使得有个缓冲过程。 20、光电耦合器(IC4):用于隔离作用,当加在光耦的输入端电压高时光敏三极管输出电压变小,从而反馈给7脚,然后调节占空比使输出在12V。 21、MOS管(Q1):通过SD4870,1脚输出高低电平控制MOS管开与断,当输出电压高于12V时,通过光耦反馈到7脚,同时减小1脚输出的占空比从而达到电压稳定输出12V。 22、R4:限流电阻 23、EC2:给芯片供电。当MOS管导通时1-2给芯片供电的同时对电容充电,当MOS管断开时1-2没有电通过只能靠电容供电。 24、R10:振荡频率设置,本电路为65K所以外接100K,即650K/100k 25、R6:因为四脚为开关电流采样端,当采样到R6两端电压超过0.8V时,从而对芯片进行保护不工作;在4脚接104电容的作用:由于上电瞬间MOS管有尖峰电压大,所以在4脚处电压大于0.8V从而保护了电路,当接104的时候吸收了尖峰所以上电后立即点亮灯泡 26、R7:提高MOS功率 27、R5:防止MOS管悬空 电路板电源接上220V交流电,电流流过热敏电阻(限流)和保险丝(保护),L线和N线之间加入安规电容(CX1)和安全电阻(ZNR1)保护接入电路,再经过共模电感(消除内外的电磁干扰),经过整流桥之后,电压升至约300V,大电容EC1用来滤波,电流经过R1、R2,并对电容EC2进行充电,SD4870A得到一个启动电压后启动,并通过1脚(GATE)控制场效应管SVD04N

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