物理气相淀积解析.ppt

天津工业大学 集成电路工艺原理 物质四态 固体 冰 液体 水 气体 水汽 等离子体 电离气体 温度 00C 1000C 100000C 天津工业大学 集成电路工艺原理 等离子体的应用 看似“神秘”的等离子体，其实是宇宙中一种常见的物质，在太阳、恒星、闪电中都存在等离子体，它占了整个宇宙的99％。 等离子体可分为两种：高温和低温等离子体。 等离子体是一种很好的导电体，可以利用电场和磁场产生来控制等离子体。低温等离子体物理的发展为材料、能源、信息、环境空间科学的进一步发展提新的技术和工艺。如日光灯、PDP等离子电视、IC工艺中的等离子体应用 。 天津工业大学 集成电路工艺原理 天津工业大学 集成电路工艺原理 PDP的工作原理 天津工业大学 集成电路工艺原理 §5.5 溅射（Sputtering） 溅射：具有一定能量的入射离子在对固体表面轰击时，入射离子在与固体表面原子的碰撞过程中将发生能量和动量的转移，并可能将固体表面的原子溅射出来，这种现象称为溅射。 天津工业大学 集成电路工艺原理 离子入射 具有能量的离子打到材料表面 会发生的四种情况： 很低能量的离子简单反弹； 能量小于10eV的离子会吸附于表面，并以声子（热）释放能量； 能量介于10eV到10keV时，能量传递，发生溅射过程，逸出的原子一般具有10－50eV的能量，远大于蒸发原子； 能量大于10keV时，离子注入过程； 天津工业大学 集成电路工艺原理 溅射过程 入射过程中入射离子与靶材之间有很大的能量传递，因而溅射出的原子具有较大的动能（10-50eV），而真空蒸发过程中原子所获得的动能一般只有0.1-0.2eV左右； 因此溅射法的台阶覆盖能力和附着力都比真空蒸发要好，同时辐射缺陷远小于电子束蒸发，制作复合材料和合金膜时性能更好，是大多数硅基工艺PVD的最佳选择。 天津工业大学 集成电路工艺原理 溅射特性 溅射阈值 EEt，10～30ev，取决于靶材 溅射率S 入射离子能量（一定范围内能量越大，S越大） 入射离子的种类（原子量越大，S越大，周期性变化） 被溅射物质的种类（与入射离子种类的影响类似） 离子入射角（平行和垂直时最小，70°左右最大） 溅射原子的能量和速度 天津工业大学 集成电路工艺原理 溅射方法 直流溅射 射频溅射 磁控溅射 反应溅射 偏压溅射 离子束溅射 5~30MHz的交流电（一般为13.56MHz） 在射频电场中，因为电场周期性地改变方向，则电子不容易到达电极和容器壁而损失； 射频电场可以通过很多类型的阻抗耦合进入淀积室，所以电极可以是导体，也可以是绝缘体。 天津工业大学 集成电路工艺原理 磁控溅射 溅射的缺点：较低的薄膜淀积速率； 较高的工作气压。 磁控溅射的优点：磁场的存在延长了电子在等离子体中的运动轨迹，提高了与原子碰撞的效率，提高了原子电离的几率，从而在较低的气压下实现了较高的溅射效率和淀积速率。 天津工业大学 集成电路工艺原理 接触孔中的薄膜溅射淀积 溅射原子遵循余弦分布 某方向上原子的分布概率与该方向与溅射平面法线的夹角的余弦值成正比 带准直器的溅射淀积方法 改善台阶覆盖性能 降低淀积速率，增加污染和成本 长投准直溅射技术 靶与硅片之间的距离更长，同时在低压下产生等离子体 天津工业大学 集成电路工艺原理 带准直器的溅射淀积 天津工业大学 集成电路工艺原理 真空蒸发与溅射 真空蒸发法 （Evaporation） 设备简单、操作容易、纯度较高、成膜快、机理简单 附着力小、工艺重复性差、台阶覆盖性差、不适用多组分材料 溅射 （sputtering） 适用于任何物质，不受蒸气压和膜成分限制，靶材料与膜成分符合，附着好，台阶覆盖较好 设备、操作较复杂 天津工业大学 集成电路工艺原理 PVD系统 天津工业大学 集成电路工艺原理 小结 IC中薄膜的分类和典型制备方法 淀积的概念以及PVD和CVD的区别 真空蒸发和溅射各自的特点 影响台阶覆盖的因素（到达角、表面迁移、再发射） 真空蒸发的基本过程及蒸发源 等离子体的概念，产生及应用 溅射的基本原理（磁控溅射）及影响溅射率的因素 天津工业大学 集成电路工艺原理 Q A 1. 在溅射中，主要利用的是那种非弹性碰撞过程？有没有分解过程？ 天津工业大学 集成电路工艺原理 2. Why does one need a vacuum chamber to generate a stable plasma? 天津工业大学 集成电路工艺原理 Mean Free Path 天津工业大学 集