No-14电力电子技术－BJT和GTR.pptVIP

第八章 功率晶体管和二极管（1） 共14页 电力电子技术 Power Electronics 任课教师：谢少军 xsj@ 课程组网站：/dldz 电力电子技术 Power Electronics 第八章 功率晶体管和二极管 功率晶体管分类 双极性功率晶体管:电流控制型器件 BJT: bipolar junction transistorGTR: Giant Transistor 场控晶体管:电压型控制器件 MOSFET：场效应功率晶体管 IGBT：绝缘栅双极性功率晶体管 IGCT：集成门极换向晶闸管 第二节 功率晶体管 结构: 三层半导体,二个PN结 符号, NPN, PNP（很少） P141页：垂直导电、集成 1 BJT的稳态特性 晶体管电路分类: 共射,共基,共集 伏安特性: 三区, 截止 / 放大 / 饱和 1 BJT的稳态特性 一般采用共发射极接法，集电极电流ic与基极电流ib之比为GTR的电流放大系数 ?=Ic/Ib 反映了基极电流对集电极电流的控制能力 1 BJT的稳态特性 ?? 共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区 ?? 在电力电子电路中GTR工作在开关状态 即工作在截止区或饱和区 ?? 第二节 功率晶体管 临界饱和