2--医学信号测量的干扰噪声详解.ppt

电场耦合干扰：加屏蔽层 磁场感应干扰：减小环路面积 电磁波干扰：滤波电路，屏蔽，能量释放回路 其他生理电干扰,加滤波电路 电源内阻干扰,地线阻抗干扰，加去耦电容，减小地电阻，布局合理，如并联形式 本仪器内其他电路模块干扰，隔离电路，光耦 电极接触不好，人体运动，加滤波电路 干扰的消除 1、噪声一般性质 2、主要噪声类型 3：描述放大器的噪声性能 4：低噪声放大器设计 第二节 噪 声(了解) ??? 噪声：系统内部固有的干扰信号, 来自系统本身,器件本身的材料物理因素引起扰动 噪声的一般性质 随机信号，服从统计规律，如高斯分布 无法用频谱描述,功率谱S(f)描述 统计量表示:均方值U2表示 噪声种类 1/f，热噪声，散粒噪声 1/f 噪声 半导体、金属薄膜、电解液中 1/f 噪声是由晶体结构中杂质的缺陷及接触不良引起 低频噪声 平均功率 热 噪 声 电阻中电子的随机热运动，相对与定向移动而言 与温度、阻值、频带宽度成正比 热噪声等效成电压源或电流源 散粒噪声 半导体器件中，载流子波动 q 为电子电荷 ID 为正向结电流 Δf 是测量带宽 电容器，介质漏电产生的噪声 变压器，磁性材料磁化不连续 场效应管，沟道热噪声，栅极散粒噪声，1/f 晶体管, Ib,Ic散粒噪声，基区电阻热噪声，1/f 运算放大器，晶体管噪声，双输入噪声大 3、放大器噪声性能指标 噪声系数： F=总的噪声功率/源电阻热噪声功率，小好 信噪比（S/N）：系统中的信号功率对噪声的比值 放大器噪声：来自每个元件、Un,In ,Uns等效噪声源表示 Uns为电阻热噪声 多级放大器噪声系数主要由第一级噪声系数决定 F1,F2,F3为各级单独噪声,Ap1,Ap2为功率增益 以输入短路放大器输出噪声为指标，选低噪声器件 噪声匹配,等效输入噪声与源电阻Rs大小有关 --调整静态工作点选择最小噪声系数　 --调整Rs, 选择合适的输入电路形式(不同的Rs)使传感器输出阻抗与输 入放大器噪声匹配,低源电阻用变压器耦合到输入级,三极管, 节型场效应管 负反馈，增益分配,第一级噪声是主要的,增益尽可能高, 以降低噪声(2-57) 4、低噪声放大器 不同输入级阻抗不同，信号源阻抗应与输入阻抗匹配 当信号源不匹配时候，可通过变压器阻抗变换 总结 作业 1-5 克服方法： 远离干扰源，绞线，减小回路面积及角度 磁场干扰 干扰电流产生的磁通随时间变换在闭合回路产生干扰电压 假设感应侧与被感应侧位置水平对应 假设感应侧产生的磁场变大，反之右手定则电流反向 图1为假设每个环路的感生电动势方向，则相邻的抵消 图2为假设的每个小段的感生电动势方向，则相邻的抵消。 磁场感性干扰 无twisting 有 twisting 绞线 绞合方法 减小环路面积 解决方法： 二、合理接地与屏蔽 保护接地 工作接地 一、合理接地 1、工作接地 接地是指：各种信号地与电源地的连接 电源地 高频信号导致阻抗增加，要多点接地，线要短， 地线大面积铜皮 高频电路特点 分布参数明显，导线成为电感，导线间分布电容明显 元件的分布参数也明显 晶体管的放大倍数下降，要用的固定中频 电源地 2、输入敏感回路接地 2、输入敏感回路接地 信号小，对干扰敏感 输入存在回路，易有电磁干扰 输入端导联线长，易有电场干扰 导联线较长，信号端接地线(人)与仪器电路地有较大电阻， 地电位不等，形成干扰电压，直接作用在输入级 (二)合理屏蔽 抑制磁场耦合干扰的好办法应该是屏蔽干扰源 大电机、电抗器、大电流载流导线等等都是很强的磁场干扰源 克服电场耦合干扰最有效的方法是屏蔽物体 (放置在空心导体或者金属网内的物体不受外电场的影响) 磁场耦合的抑制技术 电场耦合的屏蔽和抑制技术 屏蔽体材料选择 高频电磁波频率或电场，高电导率金属材料反射损耗及涡流损耗 低频磁场，采用高导磁率的材料，磁力线限制在屏蔽体内部， 高电导率材料，铜、铝、钢 高导磁率材料，磁钢、铁、锰合金 三、其他抗干扰措施 前级的地悬浮,与电源地不通 系统内部干