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电镀金刚石工具的改进 电镀新专利：一种生产金刚石线锯的电镀槽金刚石 电镀槽 新闻来源：中国知识产权网 发布日期：2010-10-12　　申请（专利）号:CN201010154814.2 　　申请日:2010.04.26 　　公开（公告）号:CN101798695A 　　公开（公告）日:2010.08.11 　　主分类号:C25D7/00(2006.01)I 　　申请（专利权）人:长沙岱勒金刚石制品有限公司 　　地址:湖南省长沙市高新技术开发区桐梓坡西路328号 　　邮编:410013 　　国省代码:湖南;43 　　发明（设计）人:段志明;贺跃辉;周永;刘纯辉;杨辉煌;匡怡新;熊佳海 　　专利代理机构:长沙市融智专利事务所 　　代理人:颜勇 　　摘要: 　　一种生产金刚石线锯的电镀槽，包括电镀槽主体，在所述电镀槽主体的高度方向平行设置有第一转轴、第二转轴，在所述电镀槽主体底部设置有至少两根与外设驱动泵连接的进液管，所述两根进液管与所述第一转轴、第二转轴同向布置。使用时，将金属线呈螺旋状绕装在第一转轴及第二转轴之间，利用第一转轴旋转，带动金属线绕第一转轴、第二转轴转动，使金属线沿第一转轴、第二转轴轴线前移；同时，将电镀液泵送至电镀槽主体，悬浮在电镀液中的金刚石微分随电镀液缓慢向上流动，与金属线接触、碰撞，实现金刚石微粉与金属基体复合沉积。本发明结构简单合理，空间占用少，生产效率高，金刚石微粉在金属线上分布均匀，金刚石沉积密度可控，镀层质量好，所生产的电镀金刚石线锯柔韧性好，强度高，适于工业化生产，可替代现有金刚石线锯电镀槽。 电镀金刚石线锯切割单晶硅技术及机理研究 。 【作者】 高玉飞； 【导师】 葛培琪； 【作者基本信息】 山东大学， 机械设计及理论， 2009， 博士 【摘要】 目前,半导体材料广泛地应用于各种微电子领域,如计算机系统、电子通讯设备、汽车、消费电子系统和工业自动控制系统等,而绝大多数的半导体材料是采用硅晶片。切片是把单晶硅由硅棒变成硅片的一个重要工序,切片质量的好坏直接影响着后续工序的工作量和成本。固结磨料线锯切片技术以其锯切效率高、锯口损耗小、面形精度高和切割环境清洁等优点,有望成为单晶硅等硬脆材料切片的未来发展方向。本文对电镀金刚石线锯切割单晶硅技术进行了深入的试验研究与理论分析,以期为电镀金刚石线锯切片技术的进一步应用提供试验和理论依据。在理论上探讨了单晶硅各向异性材料特性对电镀金刚石线锯切割硅晶片过程影响。分析了锯丝沿不同的晶面、晶向锯切对晶片质量的影响规律,并推荐了首选的锯丝切入方向。研究发现,在确定的工艺参数下,当锯丝切入方向使锯切两边材料的弹性模量分布关于锯丝切入方向呈对称性时,可有效地提高晶片面形质量。锯丝切入方向与被锯切晶面内的易开裂方向一致时,可有效减少晶片表面破碎。综合锯丝切入方向对晶片面形质量和表面破碎两方面影响的分析结果,锯切（100）晶面时,首选锯丝切入方向为[001]、[010]、[00（?）]和[0（?）0];锯切（110）晶面时,首选锯丝切入方向为[1（?）0]和[（?）10];锯切（111）晶面,[1（?）0],[（?）10],[01（?）],[0（?）1],[（?）01]和[10（?）]为首选的锯丝切入方向。通过往复式电镀金刚石线锯加工单晶硅的试验,研究了锯丝速度,工件进给速度和切削液对锯切硅片表面形貌、表面粗糙度（SR）、翘曲度（Warp）、总厚度偏差（TTV）和亚表面损伤层厚度（SSD）的影响规律,并研究了锯丝磨损的形态和机理。在试验采用的工艺参数范围内,硅片的SR与SSD值随锯丝速度提高和工件进给速度降低而减小;硅片的Warp随锯丝速度和工件进给速度降低而减小;而综合考虑锯丝速度与进给速度的合理匹配关系是获得硅片低TTV值的原则。锯切试验中使用合成液做切削液改善晶片表面形貌,降低硅片的表面粗糙度、翘曲度和TTV的综合效果最好。研究发现电镀金刚石锯丝的磨损形式分为镀层磨损与磨粒磨损,主要磨损形式为磨粒的脱落,因此锯丝制造过程中应研究新措施来提高磨粒的把持力,从而提高锯丝的寿命。建立了锯丝表面周向分布的磨粒在锯切过程中的平均切削厚度理论模型,并结合观察加工表面形貌和切屑形态,研究了电镀金刚石线锯加工单晶硅的材料去除和加工表面形成机理,分析了加工表面材料去除方式与工艺参数的关系。锯丝表面周向分布的磨粒切深与磨粒所在的位置有关,位于锯丝底部的磨粒切深大,主要贡献于材料的去除,形成锯口,实现切片;而分布于靠近加工表面的磨粒切深小,主要贡献于晶片表面的形成。当使用同一种锯丝进行单晶硅的加工时,锯丝表面某一位置处的磨粒平均切削深度g和工件进给速度VW与锯丝速度VS的比值q之间存在着近似的非线性的单调递增关系,为g∝D·（VW/VS）4/9,其中D为常数。硅片表面的材料去除