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LED发光二极管技术参数常识 半导体发光器件包括半导体发光二极管 简称LED 、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏 简称矩阵管 等。事实上，数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用 一 、LED发光原理 发光二极管是由-Ⅳ族化合物，如GaAs 砷化镓 、GaP 磷化镓 、GaAsP 磷砷化镓 等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子 少子 一部分与多数载流子 多子 复合而发光。假设发光是在P区中发生的,那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光,或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心 这个中心介于导带、介带中间附近 捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠近PN结面数μm以内产生。理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Eg有关，即λ≈1240/Eg mm 式中Eg的单位为电子伏特 eV 。若能产生可见光 波长在380nm紫光~780nm红光 ，半导体材料的Eg应在3.26~1.63eV之间。比红光波长长的光为红外光。现在已有红外、红、黄、绿及蓝光发光二极管，但其中蓝光二极管成本、价格很高，使用不普遍。 二 、LED的特性1.极限参数的意义 1 允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。 2 最大正向直流电流IFm:允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。 3 最大反向电压VRm:所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。 4 工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。2.电参数的意义 1 光谱分布和峰值波长:某一个发光二极管所发之光并非单一波长。 2 发光强度IV:发光二极管的发光强度通常是指法线 对圆柱形发光管是指其轴线 方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为 1/683 W/sr时，则发光1坎德拉 符号为cd 。由于一般LED的发光二强度小，所以发光强度常用坎德拉 mcd 作单位。 3 光谱半宽度Δλ:它表示发光管的光谱纯度.是指图3中1/2峰值光强所对应两波长之间隔. 4 半值角θ1/2和视角:θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向 法向 的夹角。半值角的2倍为视角 或称半功率角 。图3给出的二只不同型号发光二极管发光强度角分布的情况。中垂线 法线 AO的坐标为相对发光强度 即发光强度与最大发光强度的之比 。显然，法线方向上的相对发光强度为1，离开法线方向的角度越大，相对发光强度越小。由此图可以得到半值角或视角值。 5 正向工作电流If:它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。 6 正向工作电压VF:参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是在IF 20mA时测得的。发光二极管正向工作电压VF在1.4~3V。在外界温度升高时，VF将下降。 7 V-I特性:发光二极管的电压与电流的关系。在正向电压正小于某一值 叫阈值 时，电流极小，不发光。当电压超过某一值后，正向电流随电压迅速增加，发光。由V-I曲线可以得出发光管的正向电压，反向电流及反向电压等参数。正向的发光管反向漏电流IR10μA以下。 三 、LED的分类1.按发光管发光颜色分按发光管发光颜色分，可分成红色、橙色、绿色 又细分黄绿、标准绿和纯绿 、蓝光等。另外，有的发光二极管中包含二种或三种颜色的芯片。根据发光二极管出光处掺或不掺散射剂、有色还是无色，上述各种颜色的发光二极管还可分成有色透明、无色透明、有色散射和无色散射四种类型。散射型发光二极管和达于做指示灯用。2.按发光管出光面特征分按发光管出光面特征分圆灯、方灯、矩形、面发光管、侧向管、表面安装用微型管等。圆形灯按直径分为φ2mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm及φ20mm等。国外通常把φ3mm的发光二极管记作T-1;把φ5mm的记作T-1 3/4 ;把φ4.4mm的记作T-1 1/4 。由半值角大小可以估计圆形发光强度角分布情况。从发光强度角分布图来分有三类: 1 高指向性。一般为尖头环氧封装，或是带金属反射腔封装，且不加散射剂。半值角为5°~20°或更小，具有很高的指向性，可作局