专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案.docVIP

专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》 一、 （共75题,共150分） 1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番 （2分） A.12 B.18 C.20 D.24 .标准答案：B 2. MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。 （2分） A.体 B.衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通 .标准答案：C 3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。 （2分） A.亚阈值区 B.深三极管区 C.三极管区 D.饱和区 .标准答案：D 4. MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。 （2分） A.夹断 B.反型 C.导电 D.耗尽 .标准答案：A 5. （）表征了MOS器件的灵敏度。 （2分） A. B. C. D. .标准答案：C 6. Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的（）。 （2分） A. B. C. D. .标准答案：B 7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。 （2分） A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值 B.负载不匹配 C.输入MOS不匹配 D.电路制造中的误差 .标准答案：C 8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。 （2分） A.二极管负载差分放大器 B.电流源负载差分放大器 C.有源电流镜差分放大器 D.Cascode负载Casocde差分放大器 .标准答案：C 9. 镜像电流源一般要求相同的（）。 （2分） A.制造工艺 B.器件宽长比 C.器件宽度W D.器件长度L .标准答案：D 10. 某一恒流源电流镜如图所示。忽略M3的体效应。要使和严格相等，应取为（）。 （2分） A. B. C. D. .标准答案：A 11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。 （2分） A.共源级放大器 B.源级跟随器 C.共栅级放大器 D.共源共栅级放大器 .标准答案：A 12. 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。请计算该电路的等效输入电阻为（）。 （2分） A. B. C. D. .标准答案：A 13. 对电路进行直流工作点分析的Hspice命令是（）。 （2分） A.DC B.AC C.OP D.IC .标准答案：C 14. 模拟集成电路设计中的第一步是（）。 （2分） A.电路设计 B.版图设计 C.规格定义 D.电路结构选择 .标准答案：C 15. （）可提高图中放大器的增益。 （2分） A.减小，减小 B.增大，增大 C.增大，减小 D.减小，增大 .标准答案：A 16. 模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是（）。 （2分） A.增益 B.输出电阻 C.输出摆幅 D.输入电阻 .标准答案：C 17. 模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是（）。 （2分） A.增益 B.电压净空 C.输出摆幅 D.输入偏置 .标准答案：A 18. 在NMOS中，若会使阈值电压（） （2分） A.增大 B.不变 C.减小 D.可大可小 .标准答案：A 19. NMOS管中，如果VB变得更负，则耗尽层（）。 （2分） A.不变 B.变得更窄 C.变得更宽 D.几乎不变 .标准答案：C 20. 随着微电子工艺水平提高,特征尺寸不断减小,这时电路的工作电压会（） （2分） A.不断提高 B.不变 C.可大可小 D.不断降低 .标准答案：D 21. MOS管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是（）。 （2分） A.电导 B.电阻