数字集成电路第4章说课.ppt

第四章TTL电路 DTL电路原理 当输入A、B、C任意一个或一个以上为低电平（约0.3)，P1为1V，晶体管T处于截止，输出为Vout=VCC。 当输入全为高电平（4V），T导通并达到饱和，输出电压Vout为低电平（约0.3V)。 RA、D1、 D2、 D3、组成输入部分，完成与功能 DTL电路原理 晶体管T和电阻RC构成输出部分，起着非逻辑的作用，并可放大电流、驱动负载。 D4、 D5、是抗干扰二极管和RB完成电平位移，以提高电路的抗干扰能力。 简易TTL电路原理 DTL电路中，把D换成NPN管，如图所示；多发射极晶体管T1取代了原来的二极管输入族， T1集电极取代了电平位移电路 当输入A、B、C任意一个或一个以上为低电平（约0.3)，P点被嵌位1V，发射极导通，晶体管T1处于正向工作状态，深饱和状态；Q点为低电位（0.4v)，不足导通,晶体管T2处于截止，输出为Vout=VCC。 简易TTL电路原理 当输入全为高电平时，晶体管T1反向工作， P点被嵌位1.4V，晶体管T1集电极电流为发射极电流+基极电流；适当选择R1 、R2可以使T2饱和，输出低电平 不仅实现了与非，而且有好的瞬态特性， T2饱和，输出低电平时，输入A、B、C任意一个或一个以上变为低电平时，基极电流转向发射极，因而产生集电极电流IB1β，这股瞬间的电流很快抽光T2基区存储的电荷，使T2截止，从而提高开关速度。 简易TTL电路原理 问题存在：A为1；B为零，A不仅提供反向电流；还向B提供横向电流。增加了驱动源的负担；为了提高负载能力，改进为四管TTL电路 四管TTL电路原理 与前面相比,电路分为三部分,输入部分,输出部分,倒向部分,在输入和输出之间增加了晶体管Q2,它可输出互为反相的两个驱动信号,并提供更大的基极电流 以Q3、 R5一起代替了原来的负载电阻 当Q5由饱和转为截止时，由于Q2输出两个相位相反的信号，故Q3必然导通， Q3为射随状态，电路的输出阻抗很低，提高了高电平输出时的驱动能力 四管TTL电路原理 当Q5由截止转为饱和时， Q3处于截止状态，此时处在深饱和的Q5，也提供很低的输出阻抗 Q3作用使Q5的负载上拉，因此又称有源上拉电阻 输出部分中二极管D，保证输出低电平时， Q5饱和Q3截止；因为当所有输入端都为高电平时，晶体管Q2、 Q5都处于饱和状态，输出电压Vout=0.2v, Q2集电极电压VCE2+ VBE5=0.2+0.75=0.95V。 四管TTL电路原理 如果没有二极管D，则Q3基-射极电压为0.95-0.2=0.75V, Q3仍然饱和，而输出低电平时，而我们需要此时Q3截止，有了二极管D之后， Q2、 Q5集电极之间的电压降必然在Q3发射极和二极管之间分配，无论是D还是Q3都不可能导通。 四管TTL电路瞬态特性 先讨论Q2的基极电压VB2和输出电压的关系 当VB2=0, Q2、 Q5截止, Q3导通提供电流IQE3去驱动下一级的N个门,此时输出电压由下式表达:Vout=VCC-R2IB3-VBE3-VD 由于作为负载的下一级N个门的输入晶体管均为反相工作状态,负载电流的值不会太大 四管TTL电路瞬态特性 对下一级负载而言,最坏是Q2、 Q5饱和的,则Q2基极电压VB2=VBE2+VBE5=0.75+0.75=1.5v Q2基极电流就是输入管的集电极电流,可以设输入管集电极结电压为0.7V, 则输入管基极上总电压1.5+0.7=2.2v , 基极上的电阻R1上的电压降为5.0-2.2=2.8V, 流过电阻R1上的电流2.8V/4K=0.7mA,由于输入晶体管处于反向工作状态,其放大系数为0.02.输入到每个门电流约为14μA,(最坏) 四管TTL电路瞬态特性 假设为0.1mA,驱动十个门,也就是1mA,对这个电流IQE3,IB3是很小的,故R2上的电压可以省略. Vout=VCC-VBE3-VD=5-0.75-0.75=3.5 因此输出为高电平时,输出电压与扇出数关系不大,可以保证有3.5V 的输出. 当VQB2达到0.65V 以上时, Q2进入有源工作区,但由于Q2发射结上有压降, Q5还不能导通,如忽略Q2发射极和 集电极电流差异,AC=-R2/R3=-1.6, Q3为射随器,电压增益为1,故整个增益约为-1.6. 四管TTL电路瞬态特性 Vout= -R2/R3. VQB2.1, 随VQB2增大进一步增大 当VQB2=2*0.65以上时, Q5也开始导通,这时流过R3电流变大, 0.65V/1K=0.65mA,R2的压降为1.6*0.65V=1.04V,那么输出就变化为2.5V 5-1.6*0.65-1.5=2.5V 随VQB2继续增大, Q2、 Q5均饱和, Q3的基极电压很快下降, Q3很快截止,输出