章敬保+2014201044+晶体位错理论与应用期末研究报告.docVIP

PAGE \* MERGEFORMAT PAGE \* MERGEFORMAT 34 西南交通大学 《晶体位错理论与应用》期末试题 姓 名： 章敬保 学 号： 2014201044 班 级： 14级硕士2班 专 业： 材料科学与工程 联系方式： 任课老师： 韩靖 2014 年 7 月 1、名词解释：柯氏气团、扩展位错、位错束集、层错能。（20分） 答： （1）柯氏气团 围绕于刃型位错周围的溶质原子聚物，形成原子云，称为柯氏气团，又称为溶质原子气团或溶质原子云。溶质原子和刃型位错的相互弹性作用称为柯氏效应。它可以阻碍位错运动，产生固溶强化效应。 在含有溶质原子的固溶体合金中，由于溶质原子与溶剂原子的体积不同，晶体中的溶质原子会使其周围晶体发生弹性畸变，而产生应力场。同时存在位错与溶质，其周围均有一个应力场，这两个应力场会发生交互作用，降低系统的应变能。溶质原子与位错应力场间的弹性交互作用能越大，则交互作用越强烈。由于这种交互作用，溶质原子在晶体中将重新进行分布。刃型位错具有拉应力区及压应力区，因此溶质原子被吸引到拉应力区（如图1所示）；若置换的溶质原子比溶剂原子小时，则溶质原子被吸引到位错的压应力区。在间隙固溶体中，溶质原子在刃型位错的拉应力区偏聚，使溶质原子的浓度提高；而在压应力区，则溶质原子浓度降低。当位错处于能量较低的状态时，位错趋向于平稳，不易运动，即对位错有着“钉扎作用”。 柯氏气团对位错起钉扎作用，除产生强化效应外，还可解释某些合金中出现的应变时效和明显屈服点现象的原因。位错要运动，必须在更大的应力才能挣脱柯氏气团的钉扎而移动，这就形成了上屈服点；而一旦挣脱之后位错的运动就比较容易，因此应力减小，出现了下屈服点和水平台，就是屈服现象的本质。柯氏气团的作用随着温度的升高而减弱。同样，柯氏气团理论能很好的解释低碳钢的应变时效。当卸载后立即加载，由于位错已经挣脱出柯氏气团的钉扎，故不出现屈服点；如果卸载后放置较长时间或经时效，则溶质原子已经通过扩散而重新聚集到位错周围形成了气团，故屈服点现象又出现。 图1 溶质原子被吸引到刃型位错处 （2）扩展位错 一个全位错分解为两个或多个不全位错，全位错的运动由两个不全位错的运动来完成,其间以层错带相联，这个过程称为位错的扩展，形成的缺陷体系称为扩展位错。图2即为面心立方晶体中扩展位错的示意图。通常把一个全位错分解为两个不全位错，中间夹着一个堆垛层错的位错组态称为扩展位错。 图2 面心立方晶体中的扩展位错 扩展位错根据位错伯格斯矢量守恒的定则，应有b=bk，图中b是未扩展全位错的伯格斯矢量，bk是分解后诸不全位错的伯格斯矢量。当然还要求扩展后体系的能量小于（至多等于）扩展前全位错的能量。最常被引述的例子是fcc晶体中的位错扩展反应。两个肖克利不全位错与中间相联的一条层错带。在fcc晶体中两个不同的、相互截交的{111}面交线附近还可以通过不同面上的位错扩展和在交线上的反应而生成一个复杂的不可动体系，称为面角位错。hcp晶体中因为只有唯一的（0001）面，所以位错扩展的方式比较单纯。bcc晶体中全位错分解的方式较多，例如在（112）面上可以发生扩展。 图2中扩展位错的宽度d为 K一与全位错类型有关的常数； 一全位错线与它的柏氏矢量之间的夹角； γ一层错能。 由上式可知，扩展位错的宽度d与晶体的切变模量μ和位错的柏氏矢量b成正比，与单位面积层错能γ成反比。即层错能越大，扩展位错的宽度越小。具有面心立方结构的不同金属它们的层错能是不同的。例如，铝的层错能很高，故其扩展位错的宽度很窄，仅1~2个原子间距，实际上可认为铝中不会形成扩展位错；而奥氏体不锈钢的层错能很低，其扩展位错的宽度可达十几个原子间距。 扩展位错有四个主要性质：① 层错区的宽度是一定的，称为扩展位错的平衡宽度。它是由两条分位错间的斥力和层错能两个因素决定的（前者使两条分位错远离，后者则使层错区缩小）。② 扩展位错不能攀移，因为层错区不可能通过肖克莱分位错攀移而消失。因此，扩展位错可提高晶体的高温强度。③ 扩展位错可在滑移面上滑移，即层错区可在滑移面上移动，但d不变。④ 扩展位错的两条肖克莱分位错在一定条件下可以