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3章 半导体二极管及其应用1．本征半导体中的自由电子浓度( ) 空穴浓度 大于 小于 等于 .N 型半导体( ) 带正电 带负电 呈中性 . 当 PN 结正向偏置时，耗尽层将( ) 不变 变宽小于 变窄 .当环境温度升高时，二极管的正向电压将 升高 降低 不变 .二极管的正向电压降一般具有( )温度系数 正 负 零 .稳压管通常工作于( ) ，来稳定直流输出电压 截止区 正向导通区 反向击穿区 .二极管正向偏置时，其结电容主要是 ( ) 势垒电容 扩散电容 无法判断 .锗二极管的死区电压约为 ( ) 0.1V 0.2V 0.3V 9.硅二极管的完全导通后的管压降约为 ( ) 0.3V 0.5V 0.7V 4章 半导体三极管及其放大电路1.晶体管能够放大的外部条件是_________ 发射结正偏，集电结正偏发射结反偏，集电结反偏发射结正偏，集电结反偏 2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________ 发射结正偏，集电结正偏发射结反偏，集电结反偏 发射结正偏，集电结反偏3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________ 0.1V0.5V；0.7V。 4.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________ 高低 一样 .温度升高，晶体管的电流放大系数 ________ 增大减小不变 .晶体管共射极电流放大系数β与集电极电