13结型场效应晶体管课件.pptVIP

第13章 结型场效应晶体管 13.1 JFET概念 13.2器件的特性 13.3非理想因素 13.4等效电路和频率限制 13.5高电子迁移率晶体管 13.1 JFET概念内容 13.1.1 pn JFET基本原理 13.1.2 MESFET基本原理 结型场效应管分类： pn JFET MESFET 所用知识：半导体材料、PN结、肖特基势垒二极管 JFET基本概念 基本思路：加在金属板上的电压调制（影响）下面半导体的电导，从而实现AB两端的电流控制。 场效应：半导体电导被垂直于半导体表面的电场调制的现象。 特点：多子器件，单极型晶体管 13·1·1 pn-JFET 漏源I-V特性定性分析 的形成：（n沟耗尽型） 图3.1对称n沟pn结JFET的横截面 漏源电压在沟道区产生电场，使多子从源极流向漏极。 13·1·1 pn-JFET　 与MOSFET比较 的形成：（n沟耗尽型） 图3.1对称n沟pn结JFET的横截面 厚度几~十几微米 两边夹 结型:大于107Ω，绝缘栅:109～1015Ω。 13·1·1pn-JFET 沟道随VGS变化情况 (VDS很小时) VGS=0 VGS0 VGS0 13