检测与转换第8章解析.pptVIP

第八章　常用半导体传感器 第八章　常用半导体传感器 第一节　霍尔传感器 第一节　霍尔传感器 第一节　霍尔传感器 第一节　霍尔传感器 第一节　霍尔传感器 第一节　霍尔传感器 第一节　霍尔传感器 第一节　霍尔传感器 第一节　霍尔传感器 第一节　霍尔传感器 第一节　霍尔传感器 第二节　气敏传感器 第二节　气敏传感器 第二节　气敏传感器 第二节　气敏传感器 第二节　气敏传感器 第二节　气敏传感器 第二节　气敏传感器 第二节　气敏传感器 第二节　气敏传感器 第二节　气敏传感器 第二节　气敏传感器 第二节　气敏传感器 第二节　气敏传感器 第二节　气敏传感器 第二节　气敏传感器 第二节　气敏传感器 第二节　气敏传感器 第二节　气敏传感器 第二节　气敏传感器 第二节　气敏传感器 第二节　气敏传感器 六、烧结型SnO2气敏元件的基本特性 6．长期工作稳定性 烧结型SnO2气敏元件具有较长的工作寿命，具有元件电阻变动小、寿命长等特点。 七、气敏传感器的应用 燃气报警器 （1）检漏仪或称探测器 （2）报警器 矿用瓦斯报警器 .信息与电气工程学院 * 第二节　气敏传感器 第三节　湿敏传感器 第一节　霍尔传感器 半导体传感器：用半导体敏感元件构成的传感器能够把力、热、光、磁、气、湿度、射线、离子等一些物理量、化学量和生物量转换成电量信号。 特点：体积小、重量轻、精度高、成本低、便于集成化、 易于微机接口等。 缺点：特性的分散性、温度不稳定性和易受干扰性。 一、工作原理、材料及结构特点 　　金属或半导体薄片，若在两端加控制电流I，并在薄片的垂直方向上加磁感应强度为B的磁场，则在垂直于电流和磁场方向上（即霍尔输出端之间）将产生电动势UH（霍尔电动势、霍尔电压）。 （一）霍尔效应 RH-霍尔常数； d-厚度 （二）材料及结构特点 　　霍尔元件一般采用N型锗、锑化铟和砷化铟等半导体单晶材料制成。 　　霍尔元件的结构由霍尔片、引线和壳体组成。 （三）基本电路　　 　　霍尔元件的基本电路：控制电流由E供给，RP为调节控制电流大小 的调节电阻。Rf为一般电阻作为负载电阻。在磁场作用下，负载上就有电压输出。在实际使用时，以I或B，或两者同时作为输入信号输入，而输出信号则正比于I或B，或两者的乘积。 二、电磁特性 （一）UH-I特性 　　 （二）UH-B特性 在磁场和环境温度一定时，UH-I呈现线性关系。 在控制电流一定时，UH-B呈现不完全线性关系。 三、误差分析及误差补偿方法 　　霍尔传感器输入、输出关系简单，且线性好，但是影响它的性能的因素及造成误差的原因很多，主要有以下几个方面： 实际上霍尔片总有一定长宽比L／l，而元件的长度比是否合适对霍尔电动势大小有直接关系。 （一）元件的几何尺寸，电极接点大小对性能的影响　 　　 不等位电动势是一个主要的零位误差，由于活霍尔元件的制造存在误差，致使有控制电流流过时，即使B=0，UH仍然存在。 （二）不等位电动势U0及其补偿 （三）寄生直流电动势 　　由于霍尔元件的电极不可能做到完全欧姆接触，在控制电流极和霍尔电动势极上都可能出现整流效应。因此，当元件通以交流控制电流（不加磁场）时，它的输出除了交流不等位电动势外，还有一直流电动势分量，这电动势就称为寄生直流电动势。 （四）感应电动势 　　霍尔元件在交变磁场中工作时，由于引线布置不合理，在输出回路中也会产生附加感应电动势。 　　感应电动势也是造成零位误差的一个因素。在磁路气隙中安置另一辅助霍尔元件，如两元件特性相同，可以起到较好的补偿效果。 （五）温度误差补偿 因为半导体材料的电阻率、迁移率和载流子浓度随温度变化，故霍尔元件的性能参数，如内阻、霍尔电动势等也将随温度变化。 高斯计 四、霍尔传感器的应用 测量转速 霍尔接近开关 霍尔传感器测量电流 四、霍尔传感器的应用 霍尔钳形电流表 气敏电阻传感器（气敏电阻）可以把某种气体的成分、浓度等参数转换成电阻变化量，再转换为电流、电压信号。气敏电阻分为： 一类：测量还原性气体（可燃性气体） 二类：测量氧气浓度 用SnO2、ZnO或Fe2O3等金属氧化物粉料添加少量铂催化剂、激活剂及其它添加剂按一定比例烧结而成的半导体器件。 半导体材料二氧化钛TiO2，其电阻值的大小取决于周围环境的氧气浓度。 SnO2半导体气敏元件主要代表：TGS型、QM-N5型 气体传感器 TGS2600 气体传感器 TGS831 QM-N5 煤气-烟雾传感器 一、SnO2的基本性质 　　SnO2对多种气体具有气敏特性，用烧结法或制膜法制