低噪声放大器汇编.pptVIP

目录 放大器基础理论 1 LNA设计 2 Checklist 3 基础知识 放大器理论基础 半导体材料 更好的光电性能 更好的功率特性 更高的结温 更高的击穿电压 GaN 第三代 硅和锗 第一代 材料成熟 制作工艺简单 成本低廉 GaAs、InP等 第二代 光电性能好 工作频率高 功率效率高 工作温度高 放大器理论基础 被束缚的电子要成为自由电子所需要的最小能量 Ge＜Si＜GaAs ＜InP ＜GaN 禁带宽度越大 工作温度上限越高 耐压越高 禁带宽度 电子在单位电场下的平均漂移速度 电子迁移率越高，极限频率越高 电子迁移率越高 噪声越小 Si ＜GaN ＜ InP ＜ GaAs 电子迁移率 影响要素 半导体材料 放大器理论基础 晶体管技术 BJT HBT FET HEMT、pHEMT 体积更小、更易于集成 更高的电子迁移率 更优的噪声性能 更高的电子迁移率 更优的噪声性能 HBT：异质结双极晶体管（Heterojunction Bipolar Transistor） HEMT：高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor） 放大器理论基础 如果集电结使用Si 为单异质结晶体管 如果集电结使用SiGe 为双异质结晶体管 图1、HBT结构示意图 图2、HEMT 结构示意图 晶体管技术 HBT 异