第2章_扩散概论.pptVIP

* * * * * * * 扩散开始时，表面放入一定量的杂质源，而在以后的扩散过程中不再有杂质加入。假定扩散开始时硅片表面极薄一层内单位面积的杂质总量为 QT ，杂质的扩散长度远大于该层厚度，则杂质的初始分布可取为 ? 函数，扩散方程的初始条件和边界条件为 这时扩散方程的解为中心在 x = 0 处的 高斯分布 2、恒定杂质总量扩散 恒定杂质总量扩散的主要特点 （1）在整个扩散过程中，杂质总量 QT 保持不变； （2）扩散时间越长，扩散温度越高，则杂质扩散得越深； （3）扩散时间越长，扩散温度越高，表面浓度 NS 越低，即表面杂质浓度可控。 第一步恒定表面浓度扩散，淀积到硅片上的杂质总量为 D2 代表再分布温度下的杂质扩散系数，t2 代表再分布时间。再分布后的表面杂质浓度为 D1 代表预淀积温度下的杂质扩散系数，t1 代表预淀积时间，NS1 代表预淀积温度下的杂质固溶度。若预淀积后的分布可近似为δ 函数，则可求出再分布后的杂质浓度分布为