第三章场效应管及场效应管放大器详解.pptVIP

（2）交流分析 场效应管（Field Effect Transistor） 一种压控流型器件 单极型半导体器件 低噪声、热稳定性好 易于大规模集成化 庞大的“家族” 场效应管 FET 结型场效应管 JFET 绝缘栅型场效应管 MOSFET 增强型 MOSFET 耗尽型 MOSFET N沟道 MOSFET P沟道 MOSFET 增强型 MOSFET 耗尽型 MOSFET N沟道 JFET P沟道 JFET N沟道增强型MOSFET的工作原理 D Drain 为漏极 G Gate 为栅极 S Source 为源极 N沟道增强型MOSFET 结构示意图及符号 虚线：增强型 箭头朝里：N沟道 N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极。一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为衬底，用符号B表示。 结构及工艺说明 工作原理 1．栅源电压VGS的控制作用 （1）当VGS 0V时：漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流，D、S不通。 （2）当栅极加有电压但0＜VGS＜VGS th 时： 因为栅极和衬底间的电容效应，将靠近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排斥，就会出现一个负