第五章场效应管放大电路讲解.ppt

结型场效应管的特性小结 结型场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 双极型和场效应型三极管的比较 双极型三极管 场效应三极管 结构 NPN型 PNP型 结型 耗尽型 N沟道 P沟道 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 C与E一般不可倒置使用 D与S可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子漂移 控制 电流控制电流源CCCS β 电压控制电流源VCCS gm 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小， 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成 5.3场效应管放大电路 一.偏置电路及静态分析 1.直流偏置电路 1 自偏压电路 仅适合耗尽型 Rg将0电位引向g点, VGS 0时,有偏电流流过 VGS -IDRS 2 分压式电路 全适用 VG VDDRg2/ Rg1+Rg2 VGS VG－VS VG－IDR 调整电阻的大小，可获得： UGS 0 UGS 0 UGS 0 （1）简单的共源极放大电路（N沟道） 直流通路 共源极放大电路 2.静态工作点的确立 VGS,ID,VDS （1）简单的共源极放大电路（N沟道） 假设工作在饱和区，即 验证是否满足 如果不满足，则说明假设错误 须满足VGS VT ，否则工作在截止区 再假设工作在可变电阻区 即 假设工作在饱和区 满足 假设成立，结果即为所求。 解： 例： 设Rg1 60k?，Rg2 40k?，Rd 15k?， 试计算电路的静态漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ 。 VDD 5V， VT 1V， （2）带源极电阻的NMOS共源极放大电路 饱和区 需要验证是否满足 二 图解分析 由于负载开路，交流负载线与直流负载线相同 三.FET放大电路小信号分析法 1. FET的小信号模型 低频模型 2.用小信号分析FET放大电路 三极管与场效应管三种组态对照表： ①电压放大倍数 无CS时 ②输入电阻 ③输出电阻 1 共源极放大电路 RL RD + uo ? + ui ? RG2 G S D RG3 RG1 + ugs ? gmugs id ii 有CS时: 解：例5.2.2的直流分析已求得： （例5.2.5） s 放大电路分析 s 2 共漏极放大电路 Vs 0 T IT 放大电路分析 共漏 例5.2.6 3 共栅极放大电路 + Vi _ + Vo _ R Rd vDD g s + Vi _ + Vo _ R Rd g s d d Ro≈Rd 动态分析： Ri Rg 10M Ri2 rbe2+ 1+ ? Re1 37.1k Ri3 rbe3 + 1+ ? Re3//RL 156k + vi - Q1 Q2 Q3 Rg 10M Rs 2k Rd 15k RC2 12k Re1 200 Re2 20k Re3 3.6k RL 2k C1 C2 VCC 15V + vo - 例:多级放大电路 *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 本节不做教学要求，有兴趣者自学 5.5 各种放大器件电路性能比较 场效应管放大电路与三极管放大电路比较 1、共源电路与共射电路均有电压放大作用，而 且输出电压与输入电压相位相反。 2、共漏电路与共集电路均没有电压放大作用，且输出电压与输入电压同相位。 3、场效应管电路最突出的优点是，共源、共漏和共栅电路的输入电阻高于相应的共射、共集和共基电路的输入电阻。 4、场效应管的低频跨导一般比较小，所以放大能力比三极管差，因而共源电路的电压增益往往小于共射电路的电压增益。 解： 画中频小信号等效电路 例题 放大电路如图所示。已知 试求电路的中频增益、输入电阻和输出电。 例题 则电压增益为 由于 则 end 根据电路有 作 业 5.1.1 5.3.3 5.1.2 5.3.4 5.3.5 5.2.1 5.3.8 5.2.3 5.5.1 5.2.5 5.2.9 * * 模 拟 电 子 技 术 . 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 . 结型场效应管（JFET） *砷化镓金属-半导体场效应管 . 各种放大器件电路性能比较 . 场效应管放大电路 场效应管:是一种利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，是仅由一种载流子参与导电的半导体器件。 参与导电的载流子来划分: 电子作为载流子的N沟道器件 空穴作为载流子的P沟道器件 P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 IGFET 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 场效应