第3章光电导探测器概论.pptVIP

半导体光电导器件：利用半导体材料的光电导效应制成的。 光电导效应（内光电效应）：表示材料（或器件）受到光辐射后，材料（或器件） 材料的电导率发生变化。 光敏电阻的特点： 优点及缺点：光谱宽，无极性，测光范围大；弛豫时间长（响应时间或惰性），频响低 本章主要内容： 原理及结构 特性参数 特点 典型电路 应用 §1工作原理和结构 1、原理： 光敏电阻阻值对光照特别敏感，是一种典型的利用光电导效应制成的光电探测器件。 光电转换：当光照射到光电导体上，由光照产生的光生载流子在外加电场作用下，沿一定方向运动，电路中产生电流。 a.本征型：可用来检测可见光和近红外辐射；长波限较小。 b.非本征型（N型为主）：可以检测波长很长的辐射；长波限较大。 2、结构： 组成：它由一块涂在绝缘 基底上的光电导材料薄膜 和两端接有两个引线，封 装在带有窗口的金属或塑 料外壳内 。电极和光电导 体之间呈欧姆接触。 三种形式 ⑴梳状式 　 玻璃基底上蒸镀梳状金属膜而制成；或在玻璃基底上面蚀刻成互相交叉的梳状槽，在槽内填入黄金或石墨等导电物质，在表面再敷上一层光敏材料。如图所示。 ⑵刻线式 在玻璃基片上镀制一层薄的金属箔，将其刻划成栅状槽，然后在槽内填入光敏电阻材料层后制成。其结构如下图所示。 ⑶涂膜式（夹层式） 在玻璃