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3.5 介质中的麦克斯韦方程组 引入反映介质极化的物态方程 引入反映介质磁化的物态方程 可写出一般媒质中的麦克斯韦方程 另外,还有电流连续性方程 可以证明:由麦克斯韦方程组中的两个旋度方程及电流连续性方程,可导出麦克斯韦方程组中的两个散度方程。也就是说,麦克斯韦方程组的四个方程,再加上电流连续性方程这5个方程,事实上只有三个方程是独立的。为了获得电磁场的解,还需要利用三个物态方程: 才可得到一般媒质中完整的麦克斯韦方程组的解。 3.6 电磁场的边界条件 研究边界条件的出发点仍然是麦克斯韦方程组,但在不同媒质的交界面处,由于媒质不均匀,媒质的性质发生了突变,使得场量也可能产生突变,因此,微分形式的方程可能不再适用,而只能从麦克斯韦方程组的积分形式出发,推导出边界条件。 电磁场的边界条件通常包括 边界面上场量的法向分量(Normal component) 切向分量(Tangential component) 1、一般媒质界面的边界条件 如图为两种一般媒质的交界面,第一种媒质的介电常数、磁导率、电导率分别为 , , ;第二种媒质的分别为 , , 媒质1 媒质2 (1) 的边界条件 如图所示,在分界面上取一个小的柱形闭合面,其上下底面与分界面平行. 在柱形闭合面上应用高斯定律: 则 此式即为 的法向边界条件,它表明: 的法向分量在分界面处产生了突变 (2) 的边界条件 如图,应用高斯定律得: 当 时, 的法向分量变为连续 即 此式即为 的法向边界条件,它表明: 的法向分量在分界面处总是连续的。 (3) 的边界条件 如图,由电流连续性原理 可得 说明:当分界面处电荷面密度发生变化时,其电流密度的法向分量产生突变,突变量为电荷面密度的变化率。 (4) 的边界条件 如图,电场强度的边界条件通常用电场的切向分量来表示。 可得 说明:电场强度的切向分量是连续的。 由麦克斯韦第二个方程: (5) 的边界条件 可得 说明:当分界面处存在传导电流时,磁场强度的切向方向将发生突变;当分界面处不存在传导电流时,磁场强度的切向方向是连续的。 与上图类似,由安培环路定律 综上所述,五个场量 的边界条件是: 在研究电磁场问题时,下述分界面的讨论经常出现: (1)两种无损耗线性介质的分界面,也就是两种理想介质的分界面 这时有 这说明:理想介质中不可能有传导电流。 2、几种特殊介质的边界条件 理想介质属无损耗介质,其电导率 对于无源的情况,因为 所以有 这说明:在无源空间,理想介质分界面上,各场量连续。 (2)理想介质和理想导体的界面 理想介质的电导率 理想导体的电导率 可知:理想导体内部不存在电场。 根据 这时有 这说明:对于时变电磁场中的理想导体,电场总是与导体表面相垂直;而磁场总是与导体表面相切;导体内部既没有电场,也没有磁场。 (3)静态电磁场的边界条件 静态电磁场是时变电磁场的特殊情况,在静态场中,场量不随时间发生变化,从上面所得到的结论中可得,静态电磁场的边界条件为 本章要点 1、在介质中,电偶极矩 其中,分子极化率 2、极化矢量与电荷密度的关系为 极化矢量与电流密度的关系为 3、电介质的介电系数为 其中相对介电系数与折射率的关系为 4、洛伦兹局部电场的表达式为 5、介质的折射率定义为 6、磁化矢量定义为 磁化矢量与磁化电流密度的关系为 在各向同性及线性磁介质中 7、 反映介质磁化的物态方程为 8、综合考虑介质极化与磁化效应时,可得一般媒质中的麦克斯韦方程组为 9、介质中的电流连续性方程 10、介质中的三个物态方程 11、五个场量的边界条件 第3章 介质中的麦克斯韦方程 本章将讨论一般介质中的麦克斯韦方程,这首先需要了解介质的电与磁的性能以及一些简单概念。 通过分析发现,如果引入极化矢量 和磁化矢量 ,就可以很方便地来描述普通介质中麦克斯韦方程的一般形式。本章还将引入介质中相对介电常数的定义,而且会看到与介质折射率n之间存在着直接的联系。 1. 极化概念、电偶极矩 、分子极化率 、极化矢量 4. 一般媒质中的麦克斯韦方程 重点: 3. 磁化概念、磁偶极矩、磁化强度矢量 2. 介质的折射率、相对介电系数 5. 介质中的三个物态方程 6. 场量的边界条件 假设电场中分子内部的电荷q在电场的作用下从它的平衡位置移动了一段距离x,如果被移动的电荷质量为m,
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