第一章半导体中的电子状态解析.ppt

锗、硅的导带分别存在四个和六个这种能量最小值，导带电子主要分布在这些极值附近，通常称锗、硅的导带具有多能谷结构。 硅和锗的导带底和价带顶在k空间处于不同的k值，为间接带隙半导体。 所以，对于典型的元素半导体材料，如： 同时，可以看到： 其次，硅、锗的禁带宽度是随温度而变化的。 3. GaAs化合物半导体 GaAs具有闪锌矿结构 金刚石结构 闪锌矿结构 导带有三个极小值： 一个在k=0处，为球形等 能面， 在[111]方向高0.29ev 另一个在[100]方向，为 椭球等能面，能量比k=0 处的高0.36ev， E GaAs Eg 0·36eV L Γ X [111] [100] 0·29eV 1·159eV 价带顶也在坐标原点， k=0，球形等能面，也 有两个价带，存在重、 轻空穴。 GaAs的导带的极小值点和价带的极大值点为于K空间的同一点，这种半导体称为直接带隙半导体。 禁带 导带 第一章 小结 ●在完整的半导体中，电子的能谱是一些密集的能级组成的带（能带），能带与能带之间被禁带隔开。在每个能带中，电子的能量E可表示成波矢的函数E(k)。在绝对零度时，完全被电子充满的最高能带，称为价带，能量最低的空带称为导带。 有效质量的概念及物理意义。 有效质量概括了半导体内部势场作用，使得在解决半导体中电子在外力作用的运动规律时，可以不涉及到半导体内部势场的作用。 ●两种载流子的比较 价带附近的空状态，称为空穴。可以把它看成是一个携带正电荷（+q)、以与空状态相对应的电子速度运动的粒子。空穴具有正的有效质量。 ●直接带隙半导体和间接带隙半导体 第一章习题 1.P44习题1 2. P44习题2 3.补充如下： 3.右图为能量曲线E(k)的形状，试回答： （1）在Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三个带中，哪一个带的电子有效质量数值最小？ （2）在考虑Ⅰ、Ⅱ两个带充满电子，而第Ⅲ个带全空的情况，如果少量电子进入第Ⅲ个带，在Ⅱ带中产生同样数目的空穴，那么Ⅱ带中的空穴有效质量同Ⅲ带中的电子有效质量相比，是一样、还是大或小？ Ⅰ Ⅱ Ⅲ -π/a π/a P13图1-10(c) Question: 1、比较自由电子和晶体中的电子波函数，并说明 它们运动的不同之处。 2、有效质量的表达式是什么？在外场作用下外层 电子为何能获得较大的加速度？ 3、试阐述空穴的特点和引入它的意义。 4、定性解释Eg随温度升高而降低的原因。 Wish you Success ! By Dr. Jun Zhu 2015-8-28 Come to our class! §1-4 本征半导体的导电机构－空穴 一、载流子的产生（本征激发）： 本征激发： 当温度一定时，价带电子受到激发而成为导带电子的过程 本征激发。 激 发 前： 导 带 底 Ec 价 带 顶 Ev 价带电子 激 发 后： 导带电子 空的量子态（ 空穴） 满带：电子数=状态数 不满带： 价带：电子数空态数 导带：电子数空态数 二、半导体的导电机构—空穴 本征激发也相当于共价键上缺少了一个电子而出现 了一个空位,同时在晶格间隙出现了一个导电电子， 并且由于电中性的要求，这个空状态是荷正电的。 对能带结构来讲: 1.满带 对电流无贡献 2.不满带 对电流有贡献 I（k）=-I（-k） 即是说，+k态和-k态的 电子电流互相抵消 所以，满带中的电子不导电。 而对部分填充的能带，将 产生宏观电流。 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 共价键内的电子 称为束缚电子 价带 导带 挣脱原子核束缚的电子 称为自由电子 价带中留下的空位 称为空穴 禁带EG 外电场E 自由电子定向移动 形成电子流 束缚电子填补空穴的 定向移动形成空穴流 电子和空穴的导电： 假设价带内失去一个ke态的电子， 而价带中其它能级均有电子占据。 Ec Ev E(ke) 用J 表示该价带内中实际存在的电子引起的电流密度。 ○ ● 如果设想有一个电子填充到空的ke态，这个电子引起的电流密度为（-q）V（ke）。 在填入这个电子后，该价带又成了满带，总电流密度应为零，即 空穴概念的引入进一步阐述： 价带内ke态空出时，价带的电子产生的总电流，就如同一个带正电荷q的粒子以ke状态的电子速度V（ke）运动时所产生的电流。 称这个带正电的粒子为空穴。 半导体中的载流子(能够导电的自由粒子),包括: 电子：带负电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的自由电子，对应于导带中占据的电子 空穴：带正电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的电子空位，对应于价带中的电子空位. 三、半导体中的空穴的特征 1.空穴的波矢kp和速度