第十五章-半导体功率器件解析.ppt

第十五章 半导体功率器件 15.5 功率MOSFET 功率MOSFET的电流通常A，电压50-100V。与功率BJT比，其优点是栅极的控制电流很小。 功率MOSFET是由并行运行的重复结构单元构成的。要达到大的阈值电压，要采用垂直结构，要得到大的电流，使沟道宽度非常宽。 功率MOSFET有两种基本结构：DMOS和VMOS 15.5.1 功率晶体管的结构 双扩散DMOS晶体管的横截面图 DMOS器件双扩散工艺：源区和衬底是通过栅的边缘所确定的窗口进行扩散形成的。衬底和源区横向扩散距离的不同决定了表面的沟道长度。 电子进入源区电极，横向从衬底下的反型层漂移至n型漂移区。然后电子垂直地从n 型漂移区漂移至漏区电极。 垂直沟道VMOS VMOS是非平面结构 P衬底在整个表面形成，再进行源区扩散然后再通过延伸至n型漂移区做一个V型槽。栅氧化层生长在V型槽上，再镀金属栅极。 HEXFET：一种功率MOSFET的结构，这种结构是由许多的MOSFET并行放置形成的六角形组态。 HEXFET有很高的集成度，每平方厘米有10万个 图15.22 HEXFET结构 15 .5.2 功率MOSFET的特性 1. 两种功率MOSFET的特性 参数 2N6757 2N6792 VDS（MAX）\V 150 400 ID（MAX）\A 8 2 PD\W 75 20 2. 导通电阻：功率MOSFET的漏源之间的有效电阻 MOSFET工作在线性区的沟道电阻 电流增大，温度升高，迁移率减小，电阻增大，限制电流增大。这为功率MOSFET提供了稳定性。因此在功率MOSFET中电流会均匀地分散到各个小单元中。 图15.23 MOSFET 的典型漏源电阻随漏电流变化的特性曲线 Figure 15.15 3. 功率MOSFET的安全工作区 功率MOSFET的安全工作区由最大漏电流IDmax，额定击穿电压BVDSS，最大功耗PT=VDSID 图 15.25 MOSEFET的安全工作区。（a）线性坐标；（b）对数坐标 例15.2：在MOSFET反向器电路中找到最佳的漏电阻 图 15.26 MOSEFET反相器电路 图 15.27 例15.2中器件的安全工作区与负载线 15.5.3 寄生双极晶体管 功率晶体管在封装时采用散热片，多余的热量可以及时排出。 考虑散热片的影响时，引入热阻? （单位：?C/W），通过元件的热功率P 器件中的最大安全功耗 15.6 半导体闸流管 半导体闸流管：一系列半导体pnpn开关型器件的名称，这些器件有着双稳态正反馈开关特性 SCR（半导体可控整流器）三极半导体闸流管的通用名称 正偏： 正电压加在阳极上，J1和J3结正偏，但J2结反偏，只有非常小的电流。 反偏： 负电压加在阳极上， J1和J3结反偏，同样只有一个非常小的电流。 VP是J2结的击穿电压 15.6.1 半导体闸流管的基本特性 Pnpn闸流管可以看作npn和pnp两个晶体管的耦合 对于较小的正偏电压VA，集电极电流就是反向饱和电流，所以?1和?2都很小，器件一直处于阻断状态 阳极 阴极 CB结 EB结 EB结 使闸流管处于导通状态的方法： 1. 加足够大的阳极电压使J2结发生雪崩击穿 J2结进入雪崩击穿时的pnpn器件 器件处于 大电流低阻抗态时pnpn结构的结电压 雪崩击穿产生的电子被扫进n1区，使n1区有更多负电，空穴被扫进p2区，使p2区带更多正电。所以正偏电压V1和V3都开始增加，E-B结电压增加引起电流增加，电流增益?1和?2都增加，所以导致IA增加。 随着阳极电流IA增加，基极电流增益?1和?2增大，两个等效的BJT被驱使进入饱和状态，J2结正偏。整个器件的总电压很小。 IA和VA的关系曲线如图 图15.32 pnpn 器件的电流-电压特性曲线 反向阻断 反向阻断 正向导通 15.6.2 SCR的触发机理 SCR：三电极的半导体闸流管，第三个电极用于施加栅控信号 图 15.33 （a）三极SCR；（b）三极SCR的双晶体管等效电路 图 15.34 SCR的电流-电压特性曲线 栅控电流是作为空穴的漂移电流而流进p2区的。多余的空穴提高了P2区的电势，同时也增加了npn晶体管B-E结的正偏电压以及晶体管的?1， npn晶体管的效应增加会增加集电极电流IC2，而IC2的增