第九章材料表面技术解析.ppt

* 2. 定性分析 实际样品的光电子谱图是样品中所有元素的谱图组合。根据全扫描所得的光电子谱图中峰的位置和形状，对照纯元素的标准谱图来进行识别。 一般分析过程是首先识别最强峰，因C, O经常出现，所以通常考虑C1S和O1S的光电子谱线，然后找出被识别元素的其它次强线，并将识别出的谱线标示出来。分析时最好选用与标准谱图中相同的靶。 * 3. 定量分析 因光电子信号强度与样品表面单位体积的原子数成正比，故通过测量光电子信号的强度可以确定产生光电子的元素在样品表面的浓度。 采用相对灵敏度因子法，原理与俄歇电子能谱方法相同，元素X的原子分数为： 相对灵敏度因子通常以F1s谱线强度为基准，有峰面积S和峰高h之分，面积法精度高些。因影响因素多，只能半定量。 * 化学态分析是XPS最具特色的分析技术。具体分析方式是与标准谱图和标样对比，对比方法有： 化学位移法：化学环境不同，产生化学位移。 俄歇参数法：俄歇参数α定义为最尖锐俄歇峰动能与最强光电子峰动能之差，即 α＝EKA－EKP 式中， EKA为俄歇峰动能； EKP为光电子峰动能。 4. 化学态分析 * 因光电子能量坐标常用结合能表示，故实际上常用修 正俄歇参数α′： α′＝α+ hν＝ EKA－EKP + hν ＝ EKA + (hν－ EKP) 即 α′ = EKA + EBP 式中，hν为入射光子的能量，EBP为光电子的结合能。 这样，由光电子能谱可计算α′，将α′与标准值对 比，就可确定元素的化学态信息。 * 5. 深度分析 目的是获得深度-成分分布曲线或深度方向元素 的化学态变化情况。 常用离子溅射法：用惰性气体离子束轰击样品，逐层剥离样品表面，然后对表面进行分析。 * 9.2.4 X射线光电子能谱的应用 以实例表示： 例1 硅晶体表面薄膜的物相分析 对薄膜全扫描分析得下图，含有Zn和S元素，但化学 态未知。 * 为得知Zn和S的存在形态，对Zn的最强峰进行窄 扫描，其峰位1022eV比纯Zn峰1021.4eV更高，说明Zn 内层电子的结合能增加了，即Zn的价态变正，根据含 有S元素并查文 献中Zn的标准 谱图，确定薄 膜中Zn是以ZnS 的形式存在的。 * 例2 聚丙烯（PP）薄膜氟化的研究 聚丙烯(PP)薄膜在F2/N2气氛中氟化。氟化后膜表面F1s峰很强，氟化时间增长，C/F降低，F1s峰增强，如图。 同时，C1s峰产生多重不同程度的化学位移，说明F原子已不同程度地取代了H原子，形成了多种取代物。可能有CHF、CHF2、CF、CF2、CF3等多种形式。 * 例3 活塞环表面涂层的剖析 活塞环表面涂有未知物，将涂层制成薄片进样测量 XPS谱，如图。由C1s和F1s峰可知涂层是碳氟材料。 * 例4 高聚物表面氧化研究 又如高密度聚乙烯压制膜的C1s和O1s峰。(a)在空气中压制，有O1s峰；(b)在氮气流中压制，O1s峰减小，C1s峰增大；(c)抽真空并在纯氮气流中压制，无O1s峰，C1s峰更大。 说明氧化减少，C含量增大。 * 例5 嵌段共聚物表面结构研究 如聚二甲基硅氧烷(PDMS)和聚苯乙烯(PS)组成嵌段共聚物：共聚物1和以溴苯、苯乙烯为溶剂制得的共聚物2，它们的XPS谱与PDMS差别不大，说明其薄膜表面含PS很少。以甲苯、苯、环己烷为溶剂制得的共聚物2薄膜，其表面则含有少量PS。 聚合物膜 IC1s/ISi2p IC1s/IO1s IO1s/ISi2p PDMS 1.66±0.05 1.20±0.05 1.38±0.05 共聚物1 1.7±0.1 1.3±0.1 1.35±0.05 共聚物2 溴苯 1.68±0.01 1.24±0.01 1.36±0.03 苯乙烯 1.77±0.11 1.28±0.08 1.38±0.01 甲苯 2.59±0.05 1.71±0.04 1.5±0.01 苯 2.78±0.03 1.84±0.10 1.51±0.10 环己烷 2.27±0.10 1.57±0.04 1.44±0.03 * 例6 含氟