低频电子电路_01解析.ppt

课程概述 电子电路 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 P+ N 内建电场 E l0 - + V PN 结反偏 阻挡层变宽 内建电场增强 少子漂移 多子扩散 少子漂移形成微小的反向电流 IR PN 结截止 IR IR 与 V 近似无关。 温度 T ? 电流 IR?? 结论：PN 结具有单方向导电特性。 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 PN 结——伏安特性方程式（ PN 结正、反向特性，可用理想的指数函数来描述： 热电压 ? 26 mV 室温 其中： 　　IS 为反向饱和电流，其值与外加电压近似无关，但受温度影响很大。 正偏时： 反偏时： 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 ） PN 结——伏安特性曲线（ VD on -IS Si Ge VD on 0.7 V IS 10-9 ~ 10-16 A 硅 PN 结 VD on 0.25 V 锗 PN 结 IS 10-6 ~ 10-8 A V VD on 时 随着V ? 正向R 很小 I ?? PN 结导通； V VD on 时 IR 很小 IR ? -IS 反向R 很大 PN 结截止。 温度每升高 10℃，IS 约增加一倍。 温度每升高 1℃， VD on 约减小 2.5 mV。 0 ） 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 |V反|? V BR 时， ? IR 急剧??? ， ? PN 结反向击穿。 雪崩击穿 齐纳击穿 PN 结掺杂浓度较低 l0 较宽 发生条件 外加反向电压较大 6 V 形成原因： 碰撞电离。 -V BR ID V 形成原因： 场致激发。 发生条件 PN 结掺杂浓度较高 l0 较窄 外加反向电压较小 6 V O PN 结的击穿特性（ 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 ） 因为 T ? ? 载流子运动的平均自由路程 ? ?V BR ?。 雪崩击穿电压具有正温度系数。 齐纳击穿电压具有负温度系数。 因为 T ? ? 价电子获得的能量? ?V BR ?。 2 PN结的热击穿现象 热击穿是指PN结功率耗损过大，结温升高，半导体激发加强，导致PN结功耗进一步增大的恶性循环。循环的最终结果，必将导致PN结的晶体结构遭到破坏，半导体材料被烧毁，PN结的导电特性不复存在的开路状态。 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 3　PN 结的电容特性 PN结内净电荷量随外加电压变化产生的电容效应。 势垒电容 CT 扩散电容 CD 　PN结贮存的自由电子和空穴同步增减所需的电荷储量变化的电容效应。 CT 0 CT V O xn 少子浓度 x O -xp P+ N 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 PN 结电容 PN 结反偏时，CT CD ，则 Cj ? CT PN 结总电容： Cj CT + CD PN 结正偏时，CD CT ，则 Cj ≈ CD 故：PN 结正偏时，以 CD 为主。 故：PN 结反偏时，以 CT 为主。 通常：CD ? 几十 pF ~ 几千 pF。 通常：CT ? 几 pF ~ 几十 pF。 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 1.2.3　4种常见二极管导电情况 结构：“PN 结+单一半导体”构成 特性： PN结电阻特性+体电阻Rs 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 1 普通二极管的特性 特点： 普通二极管是为利用PN结单向导电性而专门制造的二极管。 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 普通二极管参数 （1）反向特性。 二极管的反向电流主要由PN结的反向饱和电流IS决定。硅管的 为nA数量级，锗管的 为?A数量级。 （2）正向特性。 电流较小时，二极管的伏安特性更接近指数特性； 电流较大时，二极管的伏安特性更接近直线特性。 电流有明显数值时对应的外加正向电压 称为门坎电压，记为Vth。硅二极管约为0.5V，锗二极管Vth约为0.1V。 Vth Si 利用 PN 结的反向击穿特性专门制成的二极管。 正常应用区域要求： -IZmin -iD - IZmax -VZ iD -IZmin -IZmax + - VZ 0 vD 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 2 稳压二极管 光电二极管属于光生伏特效应器件中与半导体有关的两端元件。 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 3 光电二极管 将PN结上