2半导体受控器件基础(56-2011.10)总结.pptVIP

线性电子电路 第二章 半导体受控器件基础 2.1 双极型晶体管的电量制约关系 二、三极管结构示意图及电路符号 2.1.1 晶体管的导电原理 放大状态下的外部条件分析 2. 放大或击穿情况（导电原理） 三极管的参数α、β等及其温度特性 三极管特性——具有正向受控作用 2.1.2 三极管的伏安特性曲线（可由图示仪直接测出） 输入特性曲线 输出特性曲线 放大模式直流简化电路模型 2.2 晶体三极管的其它工作模式 2.2.2 截止模式 ( JE结反偏，JC结反偏) 2.3 埃伯尔斯—莫尔模型 饱和区（ VBE? 0.7V，VCE0.3V ） 三极管安全工作区 2.5 晶体三极管小信号电路模型 混合Π型电路模型的引出 混合Π型小信号电路模型 小信号电路参数 简化的低频混Π电路模型 2.6 晶体三极管电路分析方法 2.6.1 直流分析法 图解法分析步骤： 例1：已知电路参数和三极管输入、输出特性曲线， 试求IBQ、ICQ、VCEQ。 工程近似法--估算法 例2 已知VBE(on)=0.7V ，VCE(sat)=0.3V ，?=30 ，试 判断三极管工作状态，并计算VC。 例3 若将上例电路中的电阻RB 改为10k?，试重新 判断三极管工作状态，并计算VC。 例4 已知VBE(on)=0.7V ，VCE(sat)