2.1晶体三极管描述.ppt

半导体三极管图片 1、三极管的三种连接方式 三极管共发射极电路电流放大测试结果： 实验： 由实验测量结果可得出如下结论： 综上所述,可归纳为以下两点： 电流分配关系： 三个电极上的电流关系: IC与I B之间的关系： 3、半导体三极管内部载流子的传输过程 3、半导体三极管内部载流子的传输过程 三极管在工作时要加上适当的直流偏置电压。 偏置要求 对 NPN管 要求 UC ＞ UB＞ UE 偏置要求 对 PNP管 要求 UC ＜ UB ＜ UE 【例】 一个处于放大状态的晶体管发射极电流为12.1mA，集电极电流为12.0mA，晶体管的 是多少？ 2.1.3 三极管特性曲线 （1）uCE=0V时，相当于两个PN结并联。 输出特性曲线 ：基极电流iB一定时，集电极电流iC与集电极、发射极之间的电压uCE之间的关系。 现以iB=60uA一条加以说明。 输出特性曲线可以分为三个区域: 三极管输出的三个区的划分及特点 NPN 2.1.4 半导体三极管的主要参数 （1）电流放大倍数 （2）极间反向电流 （3）极限参数 Ic增加时，? 要下降。当?值下降到线性放大区?值的70％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。一般选用额定值大约为通常使用状态最大电流2倍以上的管子。 （4）反向击穿电压 BJT有两个PN结，其反向击穿电压有以下几种： 2.1.6 三极管的判别 用万用表判别管脚的根据是：NPN型三极管基极到发射极和基极到集电极均为PN结的方向。 （a）判断三极管的基极 （b）判断三极管发射极和集电极 2. 三极管电流放大系数值的估测： 为将万用表打到相应的电阻挡测量发射极和集电极之间的电阻，再用手指捏着基极和集电极,观察表针摆动幅度大小。摆动越大，则越大，手捏在两极之间等于给三极管提供了基极电流。的大小和手的潮湿程度有关。也可用一只50KΩ～100kΩ的电阻来代替手捏的方法进行测试。 一般的万用表具备测的功能，将三极管插入测试孔中即可以从表头刻度盘上直读值。若依此法来判定发射极和集电极也很容易，只要将e和c脚对调一下，看表针偏转较大的那一次插脚正确，从万用表插孔旁标记即可判别出发射极和集电极。 3.硅管和锗管的判别： 对PNP型三极管可利用图所示电路进行测量。如测得电压降为0.7V左右，即为硅管，如果电压降为0.2V~0.3V,即锗管。对NPN型三极管.方法相同,但电池和电表的极性应与PNP型管相反。 输出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死区电压，称为截止区。 饱和区——该区域内uCE＜0.7 V= uBE ，此时发射结正偏，集电结也正偏。 iB变化时，iC基本不变， iC受uCE显著控制的区域 。 截止区——为了保证三极管可靠截止，常在发射结外加反向电压，即uBE 0，此时，发射结反偏，集电结反偏。 iB=0 ，iC接近零的区域。 放大区——该区域内uCE uBE此时，发射结正偏，集电结反偏。iC仅取决于iB，而与uCE无关。曲线基本平行等距。该区中有： 饱和区 放大区 截止区 输出特性三个区域的特点: 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB (2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE?UBE ， ?IBIC，UCE?0.3V (3) 截止区： UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 VCE=VCES，IC基本不受IB的控制 E，C结均正偏 VBVE,VBVC 饱和区 IC??IB E结正偏，C结反偏 VEVBVC 放大区 IC?0 E，C结均反偏 VBVE,VBVC 截止区 特点 各结偏置 条件 PNP VCE=VCES，IC基本不受IB的控制 E，C结均正偏