半导体表面和MIS结构解析.pptVIP

当表面处于深耗尽--随VG增加, d增加(dM), MOS结构的电容不再呈现为最小值. 8.3.4 实际MIS结构的C-V特性 (1) 功函数差异的影响 平带电压 ——为了恢复半导体表面平带状态需要加的电压. 考虑功函数差异的影响: VFB= - Vms (2)绝缘层中电荷的影响 当绝缘层处有一薄层电荷,其面电荷密度为 当绝缘层中有分布电荷 则有: 其中,氧化层中总有效电荷面密度 8.4 Si-SiO2系统的性质 1. 二氧化硅中的可动离子 2. 二氧化硅中的固定表面电荷 3. 在硅–二氧化硅界面处的快界面态 4.二氧化硅中的陷阱电荷 8.4.1 二氧化硅中的可动离子 二氧化硅中的可动离子有Na、K、H等，其中最主要而对器件稳定性影响最大的是Na离子。 来源：使用的试剂、玻璃器皿、高温器材以及人体沾污等 为什么SiO2层中容易玷污这些正离子而且易于在其中迁移呢？ 二氧化硅结构的基本单元是一个由硅氧原子组成的四面体，Na离子存在于四面体之间，使二氧化硅呈现多孔性，从而导致Na离子易于在二氧化硅中迁移或扩散。 由于Na的扩散系数远远大于其它杂质。根据爱因斯坦关系，扩散系数跟迁移率成正比，故Na离子在二氧化硅中的迁移率也特别大。 温度达到100摄氏度以上时，Na离子在电场作用下以较大的迁移率发生迁移运动。 作偏压–温度实验，可以测量二氧化硅中单位