半导体霍尔效应实验解析.docxVIP

东南大学材料科学与工程实验报告 共 页，第 页东南大学材料科学与工程实验报告学生姓名 徐佳乐 班级学号实验日期 2014/9/4 批改教师 课程名称 电子信息材料大型实验 批改日期 实验名称 半导体霍尔效应实验 报告成绩 实验目的了解半导体中霍尔效应的产生原理，霍尔系数表达式的推导。掌握霍尔系数和电导率的测量方法。通过测量数据的处理判别样品的导电类型，计算室温下所测半导体材料的霍尔系数、电导率、载流子浓度和霍尔迁移率。实验原理霍尔效应的测量是研究半导体性质的重要实验方法。利用霍尔效应，可以确定半导体的导电类型和载流子浓度。利用霍尔系数和电导率的联合测量，可以用来研究半导体的导电机制(本征导电和杂质导电)和散射机制(晶格散射和杂质散射)，进一步确定半导体的迁移率、禁带宽度、杂质电离能等基本参数。测量霍尔系数随温度的变化，可以确定半导体的禁带宽度、杂质电离能及迁移率的特性。霍尔效应和霍尔系数设一块半导体的x方向上有均匀的电流Ix流过，在z方向上加有磁场Bz，则在这块半导体的y