半导体物理3解析.ppt

半导体物理 光电工程学院微电子教学部 冯世娟 fengsj@cqupt.edu.cn 第三章 半导体中载流子的统计分布 引言 半导体的电导率直接依赖于导带电子和价带空穴的多少，因此电子在各个能级上如何分布是个根本问题。 前面我们提到半导体是热敏的。这是因为在平衡时，半导体中的载流子是由热激发产生的。处于低能级上的电子，如价带电子，可以从晶格的热振动或晶体中的热辐射获得能量，跃迁到高能态导带中去。温度愈高，热激发愈频繁，因此载流子的多少与温度有密切联系。这一章就是要讨论在包括有杂质存在的半导体中载流子的数目及其随温度的变化。 引 言 热平衡和热平衡载流子 本征激发：电子+空穴 杂质电离：电子or空穴 同时，电子可以从高能量的量子态跃迁到低能量的量子态，并向晶格放出一定的能量，从而使导带中的电子和价带中的空穴不断减少。这一过程称为载流子的复合。 在一定温度下，载流子的产生和复合将达到动态平衡——热平衡状态。 这时，半导体中的导电电子浓度和空穴浓度都保持一个稳定的数值，这种处于热平衡状态下的导电电子和空穴称为热平衡载流子。 引 言 引 言 解决问题的思路：热平衡是一种动态平衡，载流子在各个能级之间跃迁，但它们在每个能级上出现的几率是不同的。 要讨论热平衡载流子的统计分布，首先要解决下述问题： 1）载流子在允许的量子态上的分布