半导体器件原理绪论解析.pptVIP

* HBT异质结双极晶体管 PC光子晶体；PV光伏 Pin结型光电二极管主要是在pn结间插入一个本征半导体区（intrinsic region） 量子阱半导体激光器??quantum well semiconductor lasers * Pn结二极管典型的特点是：单向导电性，I-V曲线。 金半接触: 欧姆接触和肖特基接触 异质结：禁带宽度不一样，搞清楚能带结构 * * Si 60年代初代替了锗，主要是由于（1）锗做成器件后漏电比较大，（2）氧化锗溶于水。 * * 如非晶硅， * 顶点和中心的位置原子不等价，只有四个橙色的等价。如果把顶点的原子用其他的原子替代，就形成闪锌矿结构。 * * * * * * * * * * * * 费米能级能够画在能级图上，表明它和量子态的能级一样，描述的是一个能量的高低。但是，它和量子能级不同，它并不代表电子的量子态，而只是反映电子填充能带情况的一个参数。从图看到，从重掺杂p型到重掺杂N型，费米能级越来越高，填进能带的电子越来越多。 不管费米能级的具体位置如何，对于任一给定的半导体材料，在给定温度下的电子、空穴浓度的乘积总是恒定的。 对于p型半导体，随着温度升高，曲线从左到右向上倾斜，EF逐渐从价带方向趋向禁带的中间，在高温时达到本征（EF?Ei）。 EF－Ei n型半导体 p型半导体 过剩载流子（非平衡载流子） 由于受外界因素如光、电的作用