半导体器件原理第三章解析.pptVIP

由于构成异质结的是不同的材料，它们的晶格常数一般是不相同的，所以在异质结中晶格失配是不可避免的。由于晶格失配，在两种半导体材料的交界处产生了悬挂键引入界面态; 3.3 异质结 能带图 在异质结交界面处，在晶格常数小的半导体中出现了一部分不饱和悬挂键。 理想突变异质结：假设两种材料晶体结构、晶格常数、热膨胀系数相同，忽略悬键的产生和界面态。 分析几种同型和异型异质结。通常设右侧材料具有较宽的带隙。 几种不同的异质结能带组合方式 不同的能带组合方式结合不同的导电类型组合，形成了种类丰富的异质结结构 跨骑、交错、错层 跨骑 交错 错层 真空能级 3.3 异质结 能带图 3.3 异质结 能带图 接触前 接触后， 电子从n—p； 空穴从p—n； N区存在正空间电荷区； P区存在负空间电荷区； 能带发生弯曲； * 正确画出异质结的能带结构，需要给出禁带宽度、导带或价带差，才能获得。 可以假设：导带的失调由材料的亲和势或功函数的差决定，由此，在获得禁带宽度差的条件下，即可获得正确能带结构。 窄带隙材料和宽带隙材料在接触前的能带图 异质结的能带图结构主要由两个因素决定：接触带边的能量不连续（由材料决定）和内建势垒（由掺杂决定） AlxGa(1-x)As GaAs 掺杂水平不同的pN结 nN结与二维电子气 E1 E2 V(z)